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基于MOSFET的平方根計(jì)算模擬電路

發(fā)布時(shí)間:2009-8-4 09:58    發(fā)布者:賈延安
關(guān)鍵詞: MOSFET , 模擬電路 , 平方根
在儀表和測(cè)量系統(tǒng)中廣泛使用了平方根計(jì)算電路,例如:用于計(jì)算任意波形rms (均方根)等任務(wù)。因此,設(shè)計(jì)師需要有一種高效的模擬平方根計(jì)算裝置。由于制造商常采用MOS技術(shù)制造IC,采用基于MOSFET的模擬平方根計(jì)算裝置應(yīng)該是很合適的。此設(shè)計(jì)實(shí)例就描述了一個(gè)這樣的電路。該電路只采用MOSFET來提供平方根功能(圖1)。它設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單,功能豐富,可以提供兩路電壓差的平方根輸出。



  該電路將MOSFET  Q1和Q2 嵌套連接。二級(jí)管連接的Q2在飽和區(qū)工作,強(qiáng)制Q1在線性區(qū)工作。所有其他MOSFET也工作在線性區(qū)。該電路的第一部分電路由Q3、Q4、Q5和Q6構(gòu)成,產(chǎn)生電流IO1。該部分基本上為一個(gè)MOS電阻電路。決定該電路工作的基本公式為:



  其中K1和K2 分別表示晶體管Q1和Q2的縱橫比(aspect ratio):KI=(μCOXW)/2LI,其中I=K1=K2。MOSFET構(gòu)成MOS電阻電路并保證所產(chǎn)生的電流是相同的,所以這些MOSFET具有相同的縱橫比和閾值電壓。電流與輸入 V1和V2有關(guān),關(guān)系如公式所示:IO1=G(V1?V2),其中G=2K(VA?VB),表示MOS電阻電路的電導(dǎo);k=(μCOXW)/2L,為構(gòu)成 MOS電阻電路的幾個(gè)相同晶體管的縱橫比;VA和VB 為施加到線性區(qū)MOSFET柵極的控制電壓。該方法的優(yōu)點(diǎn)是輸出電壓可控性好,因而可用電壓控制平方根功能。

  輸出電壓按以下公式計(jì)算:



  從該公式可以看出,輸出電壓VO為輸入電壓V1和V2之差的平方根。如果將V2接地,則輸出電壓與輸入電壓 V1平方根成正比。如公式所示,控制電壓 VA和VB 可以改變比例常數(shù)。因此,這是一種新型的完全基于MOSFET的電壓控制模擬平方根計(jì)算裝置。

  可以采用大量市售MOSFET來測(cè)試該電路。例如,可以采用很多地方都可以購(gòu)到的2SK1228;緩沖器可以是基于MOSFET的運(yùn)放緩沖器,如 Texas Instruments公司的BUF04701。為了使電路工作符合輸出電壓公式,用于構(gòu)成MOS電阻電路的4只MOSFET應(yīng)該是相同的,并且應(yīng)該工作在線性區(qū),其輸入V1和V2 應(yīng)分別小于VA-VTH和VB-(–VTH)。鏡像電流源中的MOSFET Q7和Q8應(yīng)相同,而且二極管連接的 MOSFET Q1和Q2應(yīng)是不同的,并應(yīng)具有不同的縱橫比?梢杂檬惺跧C在板上測(cè)試該電路 ,或是用任何標(biāo)準(zhǔn)版本的Spice 在計(jì)算機(jī)上仿真它。供電電壓必須符合所選元件參數(shù)。
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xgqfirst 發(fā)表于 2010-10-2 19:17:29
hao hao
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