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來源：北方微電子 近日，由北方微電子自主研發(fā)的國內首臺12英寸14納米FinFET等離子硅刻蝕機正式進入上海集成電路研發(fā)中心（“ICRD”），與客戶共同開展研發(fā)工作。 上海集成電路研發(fā)中心于2002年12月組建成立，2007年5月被國家發(fā)展和改革委員會等六部委核準為國家級集成電路研發(fā)中心。此次14納米高端微電子裝備的順利進廠標志著中國集成電路裝備技術取得了新的突破，也預示著中國集成電路產業(yè)即將邁入全新的技術時代。 14納米集成電路制造技術是目前世界最先進的半導體工藝制造技術，自14nm(包括14nm)之后，采用FinFET 3D結構工藝已成為主流技術。14納米FinFET是一種新型多柵3D晶體管，和傳統(tǒng)的平面型晶體管相比，FinFET器件具有更顯著的功耗和性能優(yōu)勢，14nm FinFET 3D工藝引入了截然不同的工藝流程，這對其流程中的關鍵制造設備帶來了更高的挑戰(zhàn)。 作為中國自主開發(fā)集成電路高端制造裝備的先行者，北方微電子NMC 612D 14nm FinFET刻蝕機以全新的設計理念來實現14nm FinFET刻蝕工藝的要求。設備采用了新開發(fā)的同步脈沖等離子技術，通過對等離子體的實時控制和診斷來實現低損傷和高選擇比，采用多區(qū)ESC以獲得更高的CD均勻性，增加高溫上電極的設計來降低缺陷，增大Throughput，設備多項關鍵指標達到國際先進水平。 |
