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文中給出RCD吸收的工作分析過程，并根據(jù)前文分析，在實(shí)際的設(shè)計(jì)過程中，列出我們需要注意的地方。 典型的RCD吸收回路如圖： 下圖為RCD吸收的工作分析過程： t0-t1: 正向?qū)〞r間, 在Vds稍小于Vin+nV0時，二極管正向?qū)�，抑制漏感和Cds的諧振，開始向clamp充電。 t1-t2: 二極管導(dǎo)通，Cds Llk Cclamp 三者開始諧振，同時Rclamp 消耗部份能量。 R太小 在OFF時間 消耗能量過多 Cclamp上電壓在OFF時間結(jié)束前就到達(dá)nV0，此時R作為負(fù)載，消耗能量降低效率 R太大 在OFF時間 消耗能量過少 Cclamp上電壓可能在下一個ON時間未到達(dá)nV0，則吸收效果不好。 C太大 因?yàn)樵赩ds=Vin+nV0開始傳遞能量 導(dǎo)致二極管正向?qū)ǖ絍ds=Vin+nV0的時間過長，變壓器原邊能量不能迅速傳遞到副邊。burst mode階段時，振蕩比較少，能量基本消耗，通過Llk和副邊耦合傳遞能量減少。不利于輕載效率。 C太小 在OFF時間結(jié)束前就可以將能量消耗到nV0，使R作為負(fù)載，不利于輕載效率。 t2-t3:由于二極管的反向恢復(fù)，電流向Cds Llk流動，在電流反向的那個點(diǎn)，達(dá)到峰值 t3-t4:二極管的反向電流基本恢復(fù)，此時為二極管的反向恢復(fù)損耗。Cds Llk兩者進(jìn)行諧振。 經(jīng)歷第一個諧振周期，大部分能量向Cclamp充電及消耗在電阻R。 根據(jù)以上分析，在實(shí)際的設(shè)計(jì)過程中，我們需要注意： 1. R、C均偏小,C上電壓在S截止瞬間沖上去,尖峰壓不住。并且因?yàn)镽C時間常數(shù)小,C上電壓很快放電到小于 nVo,此時RCD箝位電路將成為反激變換器的死負(fù)載,消耗儲存在變壓器中的能量,使效率降低。 2. C如果選的太大，在skip mode階段，增加輕載損耗，極限情況下，過沖小,變壓器原邊能量不能迅速傳遞到副邊。R選的太大，阻尼振蕩激烈，能量消耗小。 3. D選擇快管，反向恢復(fù)時間短，消耗的能量少，部分能量能回饋到副邊，但振蕩次數(shù)多，EMI變差，且正向恢復(fù)電壓大。選擇慢管，反向恢復(fù)消耗大部分能量，降低效率，但EMI變好，且正向恢復(fù)電壓小。 4. RC的選值標(biāo)準(zhǔn)：先確定C， U1為在Mos能承受的最高值的情況下，C上的電壓;U2為在next Ton結(jié)束前，保證U2小于nVo值(可設(shè)置比margin略小值)。R要大于在next Ton期間內(nèi)，U1降到U2，所需的電阻值。 |
