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閃迪發(fā)布48層3D NAND閃存,有望在2015年下半年投入試生產(chǎn)

發(fā)布時間:2015-3-31 14:37    發(fā)布者:eechina
關鍵詞: NAND , BiCS2 , SSD
閃迪公司(SanDisk)近日宣布成功開發(fā)出48層第二代3D NAND閃存(亦稱為BiCS2)。 計劃于2015年下半年在位于日本四日市的合資工廠內投入試生產(chǎn),于2016年進行規(guī);虡I(yè)生產(chǎn)。

閃迪存儲技術部執(zhí)行副總裁Siva Sivaram博士表示:“我們非常高興能夠發(fā)布第二代3D NAND,它是一種48層架構,與我們的合作伙伴Toshiba共同研發(fā)。 我們以第一代3D NAND技術為基礎,完成了商業(yè)化的第二代3D NAND的開發(fā);我們相信,它將為我們的客戶提供讓人贊嘆的存儲解決方案!

閃迪計劃將第二代3D NAND技術廣泛地應用于各種解決方案中,范圍涵蓋可移動產(chǎn)品到企業(yè)級SSD。


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