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英飛凌新型LTE低噪聲放大器和LNA Bank讓智能手機(jī)數(shù)據(jù)速率提升高達(dá)96%

發(fā)布時(shí)間:2015-1-12 13:59    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 低噪放 , LNA , LTE , UMTS , SNR
英飛凌(Infineon)近日推出旨在提高智能手機(jī)數(shù)據(jù)速率的全新系列LTE低噪聲放大器(LNA)和四頻LNA Bank。

LTE(也稱為4G)是無(wú)線通信最新標(biāo)準(zhǔn),支持高達(dá)300 Mbit/s的數(shù)據(jù)速率,而最新的UMTS (3G) 版本僅支持56 Mbit/s。這使得智能手機(jī)與互聯(lián)網(wǎng)連接的加載時(shí)間大幅縮短,顯著提高智能手機(jī)用戶的舒適性和滿意度。

但是,使用目前的移動(dòng)設(shè)備滿足用戶對(duì)LTE高數(shù)據(jù)速率的期望仍具有挑戰(zhàn)性。射頻前端復(fù)雜度的增加要求使用更多的射頻組件(如射頻開關(guān)、雙工器和分路器)。這將導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)的損耗增加并使信噪比(SNR)降低。不僅如此,天線和射頻收發(fā)器之間的距離會(huì)導(dǎo)致額外的線路損耗,而線路損耗也會(huì)對(duì)信噪比(SNR) 產(chǎn)生負(fù)面影響,進(jìn)而降低數(shù)據(jù)速率。

英飛凌BGA7x1N6和BGM7xxxx4L12系列提供低噪聲系數(shù)、精確的增益和高線性度,可幫助智能手機(jī)設(shè)計(jì)師克服這些困難。這些產(chǎn)品采用英飛凌高級(jí)SiGe(硅鍺)芯片技術(shù)并內(nèi)置ESD保護(hù)。

新型LNA和LNA Bank均可放置于智能手機(jī)的分集和主天線路徑上,可增加系統(tǒng)靈敏度并確保最佳的用戶體驗(yàn)。它們支持的數(shù)據(jù)速率比未配備LNA的解決方案高出96%,可完全開發(fā)LTE的潛力。即使在天線隔離度較差并且天線與收發(fā)器之間存在較大線路損耗的情況下,新設(shè)備系列的高線性度仍可確保最佳接收性能。與未配備LNA的系統(tǒng)相比典型靈敏度提高了3.4 dB,而所需設(shè)備尺寸卻比之前可用的LNA Bank小61% (1.9 mm x 1.1mm)。

· BGA7L1N6
· BGA7M1N6
· BGA7H1N6

設(shè)備使用符合ROHS標(biāo)準(zhǔn)的TSNP-6-2或TSLP 12-4塑料包裝進(jìn)行裝運(yùn)。

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