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三星開始量產(chǎn)基于10納米級MLC NAND閃存的全新高性能SAS固態(tài)硬盤

發(fā)布時間:2014-8-7 15:24    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 硬盤 , NAND , 10nm
三星電子今日表示,已開始量產(chǎn)基于10納米級MLC NAND閃存的全新高性能SAS固態(tài)硬盤。

三星電子存儲芯片市場營銷部負(fù)責(zé)人白智淏常務(wù)表示:“隨著SAS固態(tài)硬盤的推出,我們在企業(yè)級存儲固態(tài)硬盤市場上的競爭力得到了大幅提升。今后,我們致力于為存儲客戶提供多種多樣的新一代大容量固態(tài)硬盤,推動高速增長的企業(yè)級存儲固態(tài)硬盤市場進(jìn)一步發(fā)展。”

為滿足全球眾多客戶對高性價比,大容量固態(tài)硬盤的熱切需求,三星電子針對企業(yè)級用戶,推出了全新的SAS固態(tài)硬盤SM1623,使其企業(yè)級固態(tài)硬盤產(chǎn)品線覆蓋了包括NVMe,PCIe,SATA以及SAS在內(nèi)的所有主要接口標(biāo)準(zhǔn)。

在2012年推出SAS固態(tài)硬盤SM1625系列產(chǎn)品之后,此次發(fā)布的SM1623容量為800GB。與20納米級的SM1625相比,10納米級的SM1623不僅在性能上達(dá)到了同樣的水平,生產(chǎn)效率更提升了30%以上。此外,SM1623還支持一次以上的DWPD(每日整盤寫入次數(shù)),適合追求高耐用性,高性能和優(yōu)化總成本(TCO)的企業(yè)級存儲客戶使用。SM1623的隨機(jī)讀寫速度最高分別可達(dá)120,000 IOPS 和26,000IOPS,而連續(xù)讀寫速度則分別最高為950MB/s和520MB/s。

今后,三星電子計劃繼續(xù)推出新一代SAS固態(tài)硬盤,以進(jìn)一步充實SAS固態(tài)硬盤產(chǎn)品線,并大幅度提升其在企業(yè)級固態(tài)硬盤市場的影響力。

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