|
對于英特爾來說，要想在移動芯片市場多分得一杯羹，就需要借助其更加先進(jìn)的制造能力的優(yōu)勢。而今日宣布的新款A(yù)tom SoCs——舉例來說——即基于22nm的3D或“三柵極晶體管”工藝。與傳統(tǒng)的(基于平面晶體管結(jié)構(gòu)的)芯片相比，新架構(gòu)使得芯片可以在較低的電壓水平上，更有效率地運(yùn)作——在降低能耗的同時，更能延長系統(tǒng)的續(xù)航時間。 至于半導(dǎo)體行業(yè)中的其它公司，已經(jīng)在向3D晶體管工藝(更常用的稱呼為“FinFETs”)遷移的過程中，落后于英特爾。 如果沒有這種新的結(jié)構(gòu)，那么向28nm以下制程遷移的過程就會變緩。其中一部分原因為，隨著平面型晶體管(planar transistor)變得更小，其能源效率和成本就變得不那么有吸引力。 幸運(yùn)的是，貌似領(lǐng)先的芯片代工廠——臺積電(TSMC)——已經(jīng)在部署16nm FinFETs的工藝上，取得了不錯的進(jìn)展。 今天，TSMC與ARM披露了兩家公司已經(jīng)在去年年底進(jìn)行了一個相當(dāng)復(fù)雜的測試芯片，并且是基于臺積電的16nm FinFET工藝打造的！ 該芯片包括了雙核Cortex-A57和四核Cortex-A53 CPU核心——基于相似的big.LITTLE不對稱方案——主要面向消費(fèi)級SoC。這一發(fā)展也將助力ARM和TSMC開辟出SoC設(shè)計的新道路。 ARM的公告稱，TSMC的16nm FinFET工藝，有著激動人心的好處：“在相同的總能耗下，芯片設(shè)計的速度可以快上>40%，或者比28nm制程節(jié)省>55%的總能耗”。 這一公告與英特爾的“22nm三柵極制程比之32nm工藝的優(yōu)勢”如出一轍。臺積電預(yù)計，在2014年的時候，采用其16nm FinFET工藝的客戶將有望超過20家。 來源：cnBeta |
