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CW32L010F8P600的優(yōu)勢(shì)包括： 超大Flash存儲(chǔ)容量：擁有64K超大Flash存儲(chǔ)容量，數(shù)據(jù)可保持25年@-40℃至+85℃，還支持多種保護(hù)功能。它能確保高訪問速度，滿足實(shí)時(shí)性要求高的場(chǎng)景，易于升級(jí)迭代，減少對(duì)EEPROM的依賴，耐用性更高。 代碼安全防護(hù)：在代碼安全防護(hù)方面達(dá)到黑客級(jí)別。在保護(hù)用戶代碼和知識(shí)產(chǎn)權(quán)上，CW32L010系列MCU以創(chuàng)新的安全特性提供了堅(jiān)不可摧的解決方案。 功耗表現(xiàn)：功耗表現(xiàn)極為出色，極限超低功耗僅0.3uA，85℃高溫漏電僅1.2uA，待機(jī)電流控制出色。 全新設(shè)計(jì)的兼容G4相關(guān)IP的高級(jí)定時(shí)器：具備多種靈活的PWM移相模式。 LatchUp測(cè)試中成績(jī)優(yōu)異：閂鎖門限測(cè)試成績(jī)高達(dá)±600mA。 ESD防護(hù)能力強(qiáng)大：16路ADC輸入具備2M采樣率，采樣保持時(shí)間可獨(dú)立配置。 性能卓越，價(jià)格定位合理：基于華虹半導(dǎo)體最新的90nm超低漏電嵌入式閃存工藝，實(shí)現(xiàn)了高性能與低成本的完美融合。 提供多種封裝形式：CW32L010系列產(chǎn)品提供QFN20、TSSOP20、SOP16三種封裝形式，不同封裝功能有所差異。 主頻最高可達(dá)到48MHz：集成了主頻高達(dá)48MHz的ARM®Cortex®-M0+內(nèi)核。 集成高精度模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器（ADC）：支持最多16+1路I/O接口。
，CW32L010F8P600在存儲(chǔ)容量、安全性、功耗控制、定時(shí)器設(shè)計(jì)、LatchUp測(cè)試成績(jī)、ESD防護(hù)、性能與成本平衡、封裝多樣性、主頻以及ADC精度等方面均表現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。 有意向的后面后面。 用于存儲(chǔ)關(guān)鍵數(shù)據(jù)或加密信息。適應(yīng)于：電動(dòng)工具、智能家居、兩輪車儀表、工業(yè)控制、物聯(lián)網(wǎng)終端等 有需要更多了解或者詢價(jià)的可以聯(lián)系一級(jí)代理商-顏經(jīng)理-13424402078
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