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隨著便攜產(chǎn)品的小型化，功能的復(fù)雜化，在印制電路板上給保護(hù)電路預(yù)留的位置越來越小。相反，在多功能及上電的情況下，保護(hù)電路需要承受的峰值浪涌電流越來越大。如何實(shí)現(xiàn)小封裝的前提下，保證較大峰值浪涌電流耐受能力，除了半導(dǎo)體芯片本身的設(shè)計(jì)，也離不開封裝可靠性的提升和封裝散熱能力的改善。 為了實(shí)現(xiàn)小封裝，大浪涌電流耐受能力，高封裝可靠性需求，華悅芯推出了HSESD0541P0-N產(chǎn)品。該產(chǎn)品采用新型PLP封裝技術(shù)，在有限的封裝面積內(nèi)實(shí)現(xiàn)了放置大版面芯片的可能。通過銅微孔連接接技術(shù)，增加芯片和連接線處接觸面積，使用濕法銅蝕刻技術(shù)，取代傳統(tǒng)的打線方案，減少封裝引入的阻抗，最大限度利用空間增加散熱，保證在芯片小封裝里也有很強(qiáng)的表現(xiàn)。同時(shí)器件引腳焊盤采用鎳金工藝，有效改善DFN0603(0201)器件的焊接可靠性問題。 華悅芯HSESD0541P0-N器件作為雙向TVS，其封裝為DFN0603（0201），5V最大工作電壓，只需要極小的空間，就能支持最大22A的IPP，并且此時(shí)鉗位電壓典型值為9V. 該方案支持最高30KV的靜電放電測(cè)試，低鉗位電壓，高保證了更好的浪涌&靜電防護(hù)效果。器件結(jié)電容典型值為30pF，滿足DC端口和中低頻通訊應(yīng)用的大部分需求。 作為一家功率器件及EMC解決方案供應(yīng)商，華悅芯秉承著為客戶尋找最合適的解決方案，提出最可靠的物料選擇方向，提供最完美的芯片參數(shù)和品質(zhì)。努力探索更優(yōu)秀的芯片及封裝設(shè)計(jì)，發(fā)掘創(chuàng)新，為客戶提供更好的選擇。 HSESD0541P0-N推薦應(yīng)用：網(wǎng)絡(luò)機(jī)頂盒，光模塊，便攜式儀器，手持設(shè)備，儀器儀表，工業(yè)檢測(cè)攝像頭，基站射頻模塊，醫(yī)療儀器。 |
