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光谷突破!全國(guó)產(chǎn)化12寸硅光全流程套件發(fā)布

發(fā)布時(shí)間:2025-9-12 09:04    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 硅光
9月11日,國(guó)家信息光電子創(chuàng)新中心(NIOC)正式向全國(guó)發(fā)布首套全國(guó)產(chǎn)化12英寸硅光全流程開(kāi)發(fā)套件(PDK/ADK/TDK),一舉打通硅光芯片從設(shè)計(jì)、制造、測(cè)試到封裝的全鏈條工藝標(biāo)準(zhǔn),標(biāo)志著我國(guó)在硅光集成領(lǐng)域首次實(shí)現(xiàn)真正意義上的“端到端”自主可控。該套件可立即支撐國(guó)內(nèi)晶圓廠、設(shè)計(jì)公司和封測(cè)廠協(xié)同量產(chǎn),為下一代數(shù)據(jù)中心、人工智能算力集群以及6G光網(wǎng)絡(luò)提供大規(guī)模、低成本的“中國(guó)硅光芯”。

此次發(fā)布的PDK(Process Design Kit)涵蓋0.13μm~45nm多節(jié)點(diǎn)工藝單元庫(kù),新增30余項(xiàng)國(guó)產(chǎn)器件模型,首次將12英寸晶圓級(jí)耦合損耗控制在1.5 dB以內(nèi);ADK(Assembly Design Kit)提供標(biāo)準(zhǔn)化封裝接口,把光纖陣列耦合對(duì)準(zhǔn)時(shí)間從小時(shí)級(jí)壓縮到分鐘級(jí);TDK(Test Design Kit)則內(nèi)置自研高速探針卡與并行測(cè)試算法,可將測(cè)試效率提升5倍,單顆芯片測(cè)試成本下降60%。三大套件全部基于國(guó)產(chǎn)EDA、國(guó)產(chǎn)裝備和國(guó)產(chǎn)材料開(kāi)發(fā),核心IP完全自主,已通過(guò)1100小時(shí)高溫高濕可靠性驗(yàn)證,滿足Telcordia GR-468-CORE國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。


采用全流程套件生產(chǎn)的12寸硅光芯片

“過(guò)去我們總在某個(gè)環(huán)節(jié)被‘卡脖子’,現(xiàn)在終于可以把設(shè)計(jì)圖直接變成可量產(chǎn)、可測(cè)試、可封裝的貨架產(chǎn)品。”國(guó)家信息光電子創(chuàng)新中心總經(jīng)理李明在現(xiàn)場(chǎng)表示,“12英寸硅光全流程套件不是簡(jiǎn)單的工具包,而是一套可復(fù)制的產(chǎn)業(yè)生態(tài)模板,任何一家國(guó)內(nèi)廠商拿到它,就能在6個(gè)月內(nèi)形成自己的硅光量產(chǎn)線。”據(jù)測(cè)算,采用該套件后,硅光芯片整體開(kāi)發(fā)周期可縮短40%,晶圓良率提升15個(gè)百分點(diǎn),每萬(wàn)片12英寸晶圓可為下游節(jié)省成本超過(guò)2億元。

發(fā)布會(huì)現(xiàn)場(chǎng),NIOC與華為、中興、長(zhǎng)電科技、亨通光電等20余家龍頭企業(yè)簽署規(guī);瘜(dǎo)入?yún)f(xié)議,計(jì)劃2026年共同建設(shè)國(guó)內(nèi)首條年產(chǎn)30萬(wàn)片12英寸硅光晶圓的“全國(guó)產(chǎn)標(biāo)桿線”。同時(shí),創(chuàng)新中心宣布面向高校和中小企業(yè)開(kāi)放“零門檻”試用通道,首批釋放100套評(píng)估版套件,配套提供200小時(shí)云端流片機(jī)時(shí),力爭(zhēng)三年內(nèi)孵化1000款國(guó)產(chǎn)硅光芯片新品。

業(yè)內(nèi)專家指出,在全球硅光產(chǎn)業(yè)進(jìn)入“拼生態(tài)、拼規(guī)!钡年P(guān)鍵窗口期,我國(guó)率先完成全流程標(biāo)準(zhǔn)化,不僅打破了歐美對(duì)高端硅光工藝包的壟斷,更為國(guó)產(chǎn)光子芯片走向千億級(jí)市場(chǎng)奠定了底座。隨著5G-A、CPO共封裝光學(xué)、量子通信等場(chǎng)景爆發(fā),硅光芯片年復(fù)合增長(zhǎng)率將超30%,“中國(guó)方案”有望在未來(lái)五年占據(jù)全球30%以上市場(chǎng)份額。
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