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近日，村田中國（以下簡稱“村田”）亮相2025 Andes RISC-V CON北京站，集中展示了面向RISC-V架構的一系列核心技術成果與產(chǎn)品布局，旨在推動下一代智能系統(tǒng)的發(fā)展。本屆展會聚焦AI、車用電子及應用處理器與信息安全等領域的最新發(fā)展，吸引了來自中國各地近 200 位產(chǎn)業(yè)領袖、技術專家與開發(fā)者參與。 當前，人工智能與車用電子應用場景不斷擴展，傳統(tǒng)處理器在功耗、性能及安全性方面面臨諸多挑戰(zhàn)。RISC-V 憑借其靈活、可擴展的開放架構，正幫助企業(yè)突破技術瓶頸，加速實現(xiàn)多樣化的創(chuàng)新應用。據(jù)The SHD Group預測，到2030年，基于RISC-V架構的SoC出貨量將達162億顆，市場營收預估達920億美元。 作為全球居先的電子元器件制造商，村田始終致力于通過高性能的封裝電容解決方案，助力RISC-V系統(tǒng)在AI服務器、邊緣計算和車載電子等應用中實現(xiàn)更優(yōu)的電源分配網(wǎng)絡（PDN）設計與電磁兼容性（EMC），強化芯片供電穩(wěn)定性與系統(tǒng)可靠性。 高性能硅電容：為AI與車載系統(tǒng)提供穩(wěn)定電源支持 隨著自動駕駛與AI服務器對算力需求的持續(xù)攀升，系統(tǒng)對電源濾波和去耦電容的性能提出更高要求。村田在展會中重點展示了硅電容與硅集成器件系列產(chǎn)品。該類產(chǎn)品憑借其小型化、低等效串聯(lián)電感（ESL）以及高可靠性的電源支持能力，在AI與汽車系統(tǒng)的不同應用中展現(xiàn)出高度的適配性。村田硅電容采用先進的3D納米多孔結構與高密度堆疊技術，在小于50μm的超薄厚度內實現(xiàn)高達1.3μF/mm3的容值密度，并顯著降低ESL，可有效抑制高頻噪聲與瞬時電源尖峰，提升系統(tǒng)的電源完整性。 此外，村田硅電容可在高達250°C的工作環(huán)境以及450V高壓環(huán)境下穩(wěn)定運行，同時在110GHz的高頻應用中依舊保持優(yōu)異的信號穩(wěn)定性。這些特性使其相比傳統(tǒng)方案更適合部署于芯片近端、高密度封裝區(qū)域或其他空間受限的應用場景，能夠更好地支持AI芯片在高負載算力下的瞬時供電響應。該系列產(chǎn)品也廣泛應用于車載激光雷達（LiDAR）等關鍵感知模塊中，為激光驅動與信號采集系統(tǒng)提供低噪穩(wěn)定的去耦支持，全面增強系統(tǒng)運行的可靠性與能效。 
先進封裝方案：優(yōu)化電源分配網(wǎng)絡設計 在AI服務器與車載系統(tǒng)持續(xù)邁向更高計算密度與能效比的背景下，芯片封裝內部的電源分配網(wǎng)絡設計變得尤為關鍵。針對這一趨勢，村田持續(xù)創(chuàng)新貼裝與封裝電容布局技術，推出多種適配于芯片不同位置的先進封裝方案。 本次展出的解決方案包括嵌入式安裝與倒裝焊封裝等，可廣泛適用于AI服務器、數(shù)據(jù)中心主板及車載自動駕駛系統(tǒng)。這些方案可實現(xiàn)更貼近芯片核心區(qū)域的電容布置，縮短供電路徑，有效降低電源分配網(wǎng)絡阻抗與功耗，同時抑制瞬時電壓下壓（V droop）現(xiàn)象，進而提升供電穩(wěn)定性與響應速度。
全方位技術支持：從本地實驗室到數(shù)字服務平臺 村田不僅提供電子元器件產(chǎn)品，更是客戶設計階段的協(xié)同工程伙伴。村田在北京、上海、深圳、臺北等亞洲主要城市設立了本地電磁兼容性（EMC）應用實驗室與技術支持體系，貫穿客戶項目的全流程，支持其在RISC-V平臺開發(fā)過程中完成電磁兼容性、電源完整性等關鍵性能評估與優(yōu)化，為AI、汽車電子等創(chuàng)新應用提供一站式解決方案與協(xié)同服務。 此外，村田已將產(chǎn)品支持服務從線下拓展至線上，客戶可隨時隨地訪問全套設計工具與技術支持資源，構建了高效便捷的數(shù)字服務閉環(huán)，為系統(tǒng)優(yōu)化與開發(fā)效率提升提供全面支撐。 未來，村田將繼續(xù)發(fā)揮技術優(yōu)勢，持續(xù)為產(chǎn)業(yè)生態(tài)注入創(chuàng)新動能，與客戶共同探索電子技術的更多可能性。 |
