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東芝推出采用TOLL封裝的第3代650V SiC MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2025-8-28 18:19    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: SiC , MOSFET , TW027U65C , TW048U65C , TW083U65C
-三款新器件助力提升工業(yè)設(shè)備的效率和功率密度-

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,推出三款650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產(chǎn)品配備其最新[1]第3代SiC MOSFET芯片,并采用表面貼裝TOLL封裝,適用于開(kāi)關(guān)電源、光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。三款器件于今日開(kāi)始支持批量出貨。



三款新產(chǎn)品是東芝第3代SiC MOSFET,采用通用表面貼裝TOLL封裝,與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔封裝相比,可將器件體積銳減80%以上,并提升設(shè)備功率密度。

此外,TOLL封裝還具有比通孔封裝更小的寄生阻抗[2],從而降低開(kāi)關(guān)損耗。作為一款4引腳[3]封裝,支持對(duì)其柵極驅(qū)動(dòng)的信號(hào)源端子進(jìn)行開(kāi)爾文連接。這減少封裝內(nèi)部源極線(xiàn)電感的影響,實(shí)現(xiàn)高速開(kāi)關(guān)性能;在TW048U65C的外殼中,與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品[5]相比,其開(kāi)通損耗降低約55%,關(guān)斷損耗降低約25%[4],有助于降低設(shè)備功耗。

未來(lái)東芝將繼續(xù)擴(kuò)大其SiC功率器件產(chǎn)品線(xiàn),為提高設(shè)備效率和增加功率容量做出貢獻(xiàn)。

第3代SiC MOSFET封裝產(chǎn)品線(xiàn)

類(lèi)型封裝
通孔類(lèi)TO-247
TO-247-4L
表面貼裝類(lèi)DFN8×8
TOLL




測(cè)量條件:VDD=400V、VGS=18V/0V、ID=20A、Ta=25°C、L=100μH、Rg(外部柵極電阻)=4.7Ω
續(xù)流二極管采用各產(chǎn)品源極及漏極間的二極管。(東芝截至2025年8月的比較)
圖1:TO-247與TOLL封裝的導(dǎo)通損耗(Eon)和關(guān)斷損耗(Eoff)比較

        應(yīng)用:
-        服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、通信設(shè)備等中的開(kāi)關(guān)電源
-        電動(dòng)汽車(chē)充電站
-        光伏逆變器
-        不間斷電源

        特性:
-        表面貼裝TOLL封裝,實(shí)現(xiàn)設(shè)備小型化和自動(dòng)化組裝,低開(kāi)關(guān)損耗
-        東芝第3代SiC MOSFET
•        通過(guò)優(yōu)化漂移電阻與溝道電阻比,實(shí)現(xiàn)漏源導(dǎo)通電阻的良好溫度依賴(lài)性
•        低漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷
•        低二極管正向電壓:VDSF=–1.35V(典型值)(VGS=–5V)

        主要規(guī)格:
(除非另有說(shuō)明,Ta=25°C)

器件型號(hào)
TW027U65CTW048U65C
封裝
名稱(chēng)
TOLL
尺寸(mm)
典型值
9.9×11.68×2.3
絕對(duì)最大額定值
漏極-源極電壓VDSS(V)
650
柵極-源極電壓VGSS(V)
–10至25
漏極電流(DC)ID(A)
Tc=25°C
57
39
28
電氣特性漏極-源極導(dǎo)通電阻RDS(ON)(mΩ)VGS=18V典型值27
48
83
柵極閾值電壓Vth(V)
VDS=10V
3.0至5.0
總柵極電荷Qg(nC)VGS=18V典型值65
41
28
柵極-漏極電荷Qgd(nC)VGS=18V典型值10
6.2
3.9
輸入電容Ciss(pF)VDS=400V典型值2288
1362
873
二極管正向電壓VDSF(V)VGS=–5V典型值
–1.35
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注:
[1] 截至2025年8月。
[2] 電阻、電感等。
[3] 一種信號(hào)源終端靠近FET芯片連接的產(chǎn)品。
[4] 截至2025年8月,東芝測(cè)量的值。請(qǐng)參考圖1。
[5] 采用TO-247封裝且無(wú)開(kāi)爾文連接的、具有同等電壓和導(dǎo)通電阻的第3代650V SiC MOSFET

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