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成都華微電子科技股份有限公司（簡稱：成都華微）昨日發(fā)布公告稱，公司自主研發(fā)的超低功耗RISC-V MCU——HWD01001型芯片于近日正式發(fā)布。該產(chǎn)品集成了公司自主設計的32位RISC-V內(nèi)核，并采用多層次低功耗設計技術，實現(xiàn)了行業(yè)領先的超低功耗性能，為輕量化、低延遲、小型化的物聯(lián)網(wǎng)及工業(yè)應用場景提供了系統(tǒng)化解決方案。 成都華微此次發(fā)布的HWD01001型MCU搭載的32位RISC-V內(nèi)核采用3級流水線設計，最高工作頻率達20MHz，支持硬件乘法和除法指令，能夠高效處理復雜運算任務。在功耗控制方面，該芯片在待機模式下的功耗低于1微安（1uA），并可在150微秒內(nèi)快速喚醒，顯著提升了設備的續(xù)航能力和響應速度。其內(nèi)置64KB eFlash閃存和8KB SRAM存儲單元，工作電壓范圍覆蓋1.8V至3.6V，同時提供豐富的接口配置，包括雙路USART、單路LPUART、SPI、I2C、CAN 2.0以及12位1MSPS精度的ADC和DAC模塊，并集成比較器功能，封裝形式包括QFN20（3mm×3mm）和QFN28（4mm×4mm），滿足多樣化場景的空間與功能需求。 從應用場景來看，該芯片聚焦輕量化低功耗物聯(lián)網(wǎng)終端、可穿戴設備、環(huán)境感知設備及工業(yè)監(jiān)測設備等領域，其技術特性精準匹配市場對小型化、低成本、高集成度芯片的需求。成都華微表示，此次新品發(fā)布是公司持續(xù)技術創(chuàng)新與市場拓展的重要里程碑，未來公司將進一步加大在集成電路領域的研發(fā)投入，持續(xù)推出具有自主知識產(chǎn)權的創(chuàng)新產(chǎn)品，以響應下游客戶對芯片高性能、低功耗及供應鏈安全的核心訴求。 值得注意的是，作為特種集成電路領域的領軍企業(yè)，成都華微在CPLD/FPGA、高速高精度ADC等技術領域長期處于國內(nèi)領先地位，相關產(chǎn)品已廣泛應用于尖端科技場景。此次HWD01001型RISC-V MCU的推出，不僅填補了國產(chǎn)輕量化物聯(lián)網(wǎng)芯片的技術空白，更通過自主內(nèi)核設計與高集成度方案，有效推動了國產(chǎn)芯片生態(tài)的完善與供應鏈安全保障，對國產(chǎn)替代進程及集成電路產(chǎn)業(yè)升級具有積極意義。 市場分析指出，該芯片若能突破規(guī)�；瘧闷款i，有望成為國產(chǎn)芯片在消費電子與工業(yè)監(jiān)測領域的重要標桿。截至公告發(fā)布日，成都華微股價報33.35元/股，總市值達212.39億元；據(jù)其2024年年報數(shù)據(jù)，公司當年實現(xiàn)營業(yè)收入6.04億元，歸母凈利潤1.22億元，銷售毛利率高達75.72%，展現(xiàn)出強勁的盈利能力和技術轉化實力。 成都華微在公告中提示，當前HWD01001型MCU尚處于市場導入初期，尚未實現(xiàn)規(guī)�；N售，未來可能面臨市場需求不足、客戶驗證失敗及推廣不及預期等風險，公司提醒投資者理性評估新品對經(jīng)營業(yè)績的潛在影響。 |
