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作者：鎧俠 縱觀整個(gè)電子行業(yè)，往更高密度的集成電路發(fā)展無(wú)疑是主流趨勢(shì)。相對(duì)于邏輯電路追求晶體管密度提升，類似于FLASH NAND這樣的非易失性存儲(chǔ)還需要考慮到電子的穩(wěn)定保存，單純的提升制造工藝并不能很好的解決所有存儲(chǔ)問題，在穩(wěn)定保存的前提下追求更高的存儲(chǔ)密度才能確保新技術(shù)、新產(chǎn)品可持續(xù)發(fā)展，存儲(chǔ)單元向上要空間成為順理成章的事情，因此在SLC（Single-Level Cell）之后才有MLC（Multi-Level Cell），TLC（Triple-Level Cell），以及日漸成為主流的QLC（Quad-Level Cell）。 QLC技術(shù)并非近段時(shí)間的一蹴而就，在2007年，鎧俠前身東芝存儲(chǔ)器就推出了對(duì)應(yīng)的QLC技術(shù)和產(chǎn)品，在SLC、MLC還是主流的時(shí)代，TLC乃至QLC更像是一場(chǎng)技術(shù)前瞻，由于每增加1位數(shù)據(jù)，需要的電壓狀態(tài)就翻倍，因此在1個(gè)單元內(nèi)存儲(chǔ)4位數(shù)據(jù)，意味著需要16種不同的電壓狀態(tài)表達(dá)，并且還要考慮傳輸速率、擦寫壽命、數(shù)據(jù)誤碼率等多重因素影響。這導(dǎo)致，從QLC誕生后很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)，相應(yīng)方案的使用率不高。 
沒有在市場(chǎng)大規(guī)模應(yīng)用不代表著技術(shù)迭代停止，從初代QLC產(chǎn)品發(fā)布至今，鎧俠堅(jiān)持不懈對(duì)QLC技術(shù)進(jìn)行創(chuàng)新，不斷提升穩(wěn)定性、性能、容量，逐漸讓QLC變得成熟可靠，經(jīng)過長(zhǎng)時(shí)間驗(yàn)證后，獲得行業(yè)認(rèn)可，使得QLC產(chǎn)品在要求嚴(yán)苛的商用領(lǐng)域開始大展拳腳。 已經(jīng)在中高端手機(jī)上采用的鎧俠QLC UFS 4.0產(chǎn)品就是很好的例子。這是業(yè)界首款QLC UFS 4.0產(chǎn)品，通過采用鎧俠1Tb BiCS FLASH 3D QLC技術(shù)，能夠在有限的移動(dòng)端內(nèi)部空間內(nèi)，顯著提升存儲(chǔ)密度，從而讓終端產(chǎn)品用盡可能少的物理空間，獲得盡量多的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量，給終端產(chǎn)品設(shè)計(jì)留下了更多的空間，也進(jìn)而提升了產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力。 事實(shí)上，存儲(chǔ)密度與傳輸速率，直接影響終端產(chǎn)品的實(shí)際體驗(yàn)，QLC與UFS 4.0的融合讓終端的同事獲得了這兩個(gè)特點(diǎn)。利用QLC所帶來的更高密度存儲(chǔ)，幫助在手機(jī)、平板、VR/AR設(shè)備在有限的內(nèi)部空間內(nèi)獲得更大的存儲(chǔ)容量，施放更多終端設(shè)計(jì)潛力，為終端產(chǎn)品提升競(jìng)爭(zhēng)力。不僅如此，這款產(chǎn)品還充分利用UFS 4.0接口速度，能讓獲得優(yōu)秀的讀寫體驗(yàn)，給智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)設(shè)備帶來更好的端側(cè)AI體驗(yàn)，并為邊緣計(jì)算、AR/VR等下一代創(chuàng)新應(yīng)用做好充分準(zhǔn)備。
目前，鎧俠QLC UFS 4.0產(chǎn)品已經(jīng)獲得業(yè)界認(rèn)可，在中高端移動(dòng)產(chǎn)品中開始采用。而鎧俠1Tb BiCS FLASH 3D QLC技術(shù)僅僅是開始，基于第八代BiCS FLASH 3D 2Tb QLC技術(shù)的存儲(chǔ)器也已經(jīng)送樣測(cè)試，意味著幾乎相同的空間內(nèi)，原本能獲得2TB的存儲(chǔ)容量，在新QLC技術(shù)的加持下可以獲得4TB，移動(dòng)端進(jìn)而獲得更大存儲(chǔ)容量的可能，對(duì)于日漸流行的端側(cè)AI、AI PC而言，用更低成本獲得更成熟、穩(wěn)定、高效的存儲(chǔ)空間，也將獲得更大的優(yōu)勢(shì)。 第八代BiCS FLASH 3D QLC技術(shù)突破性的使用了CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲(chǔ)陣列）技術(shù)，存儲(chǔ)單元和邏輯單元被分成兩個(gè)晶圓分別制造，通過不同制造溫度的控制，分別讓兩個(gè)單元獲得更好的效能，從而讓QLC也能獲得優(yōu)秀的傳輸效率，將接口速度提升至3.6Gbps行業(yè)領(lǐng)先水平。這使得即將推廣的UFS 4.1產(chǎn)品獲得更大的性能施放，鎧俠QLC UFS 4.1產(chǎn)品無(wú)疑同樣讓人值得期待。
除2Tb QLC之外，鎧俠第八代BiCS FLASH 3D QLC技術(shù)還推出了1Tb QLC版本。相較于容量?jī)?yōu)化的2Tb QLC，1Tb QLC的順序?qū)懭胄阅苓�能再提升約30%，讀取延遲提升約15%。1Tb QLC更適用于高性能領(lǐng)域，包括客戶端SSD和移動(dòng)設(shè)備。 可以預(yù)見，QLC將會(huì)成為TLC之后一個(gè)新的趨勢(shì)，依靠十多年的QLC技術(shù)產(chǎn)品積累，鎧俠QLC技術(shù)不僅處于行業(yè)領(lǐng)先水平，還為新一輪的終端產(chǎn)品升級(jí)、行業(yè)應(yīng)用創(chuàng)造了更多可能性，為不斷增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求提供全新的解決方案。 |
