電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片是包含了速度控制、力矩控制、位置控制及過(guò)載保護(hù)等功能的集成電路,可以根據(jù)輸入信號(hào),按照內(nèi)置的算法控制電機(jī)繞組電路流動(dòng)方向,從而控制電動(dòng)機(jī)的啟停與轉(zhuǎn)動(dòng)方向。它集成了邏輯運(yùn)算電路與功率驅(qū)動(dòng)電路,利用它可以與主處理器、電機(jī)和增量型編碼器構(gòu)成一個(gè)完整的運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng),可以用來(lái)驅(qū)動(dòng)直流電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)、及繼電器等感性負(fù)載。 電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片是集成有CMOS控制電路和DMO 功率器件的芯片,利用它可以與主處理器、電機(jī)和增量型編碼器構(gòu)成一個(gè)完整的運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng);可以用來(lái)驅(qū)動(dòng)直流電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)和繼電器等感性負(fù)載。 ![]() 工采網(wǎng)代理的國(guó)產(chǎn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片 - SS6208,該電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片是集成了一個(gè)單相MOSFET驅(qū)動(dòng)器,高側(cè)MOSFET和低側(cè)MOSFET到一個(gè)3mm*3mm8引腳DFN包。與離散組件解決方案相比,SS6208集成解決方案大大減少了封裝寄生效應(yīng)和板空間。 驅(qū)動(dòng)程序和mosfet已經(jīng)為半橋應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。通過(guò)一個(gè)較寬的工作電壓范圍,可以優(yōu)化高側(cè)或低側(cè)MOSFET柵極的驅(qū)動(dòng)器電壓,以達(dá)到較佳的效率。內(nèi)部自適應(yīng)非重疊電路通過(guò)防止兩個(gè)mosfet的同時(shí)傳導(dǎo),進(jìn)一步減少了開(kāi)關(guān)損耗。 當(dāng)VCC低于規(guī)定的閾值電壓時(shí),UVLO電路可以防止發(fā)生故障。為待機(jī)模式設(shè)計(jì)的PIN EN可使芯片進(jìn)入低靜止電流狀態(tài),電池壽命長(zhǎng)。 SS6208是一款專(zhuān)為半橋應(yīng)用設(shè)計(jì)的集成驅(qū)動(dòng)器和MOSFET模塊。僅需單個(gè)PWM輸入信號(hào)即可正確驅(qū)動(dòng)高端和低端MOSFET。 低邊驅(qū)動(dòng)器集成用于驅(qū)動(dòng)接地參考的低導(dǎo)通電阻N溝道MOSFET。該低邊驅(qū)動(dòng)器的電壓軌內(nèi)部連接至VCC和PGND。 高端驅(qū)動(dòng)器采用集成設(shè)計(jì),用于驅(qū)動(dòng)具有低導(dǎo)通電阻的浮地N溝道MOSFET。該高端驅(qū)動(dòng)器的柵極電壓通過(guò)一個(gè)以開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)(SW)引腳為參考的自舉電路產(chǎn)生。 結(jié)構(gòu)圖: ![]() 馬達(dá)驅(qū)動(dòng)芯片 - SS6208的特性: 較大額定連續(xù)電流4A,峰值8A 引導(dǎo)式高側(cè)驅(qū)動(dòng)器 高/低側(cè)MOSFET集成 高頻操作(高達(dá)1MHz) PWM輸入兼容3.3V和5V 內(nèi)部引導(dǎo)二極管 處于電壓鎖定狀態(tài) 內(nèi)部熱停機(jī) 適應(yīng)性保護(hù) 封裝:DFN3*3,8個(gè)引腳 無(wú)鉛設(shè)備 深圳率能半導(dǎo)體在電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域深耕多年,技術(shù)以及產(chǎn)品方面已經(jīng)很完善,如果想了解更多電機(jī)驅(qū)動(dòng)的技術(shù)資料,歡迎致電聯(lián)系:133 9280 5792(微信同號(hào)) ![]() |