|
韓國浦項(xiàng)科技大學(xué)與中國電子科技大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)合作開發(fā)了一項(xiàng)突破性技術(shù)，通過氣相沉積法制備高性能錫基鈣鈦礦半導(dǎo)體，為下一代顯示器和電子器件的發(fā)展提供了新方向。相關(guān)成果發(fā)表于《自然·電子學(xué)》（Nature Electronics）。 晶體管是電子設(shè)備的核心組件，分為n型和p型兩類。盡管n型晶體管性能更優(yōu)，但p型晶體管的效率提升對(duì)實(shí)現(xiàn)低功耗高速計(jì)算至關(guān)重要。傳統(tǒng)錫基鈣鈦礦材料依賴溶液法制備，存在可擴(kuò)展性和一致性不足的問題。 研究團(tuán)隊(duì)采用熱蒸發(fā)技術(shù)（廣泛應(yīng)用于OLED電視和半導(dǎo)體芯片制造），成功制備出高質(zhì)量的銫錫碘（CsSnI3）半導(dǎo)體薄膜。通過添加少量氯化鉛（PbCl2），進(jìn)一步優(yōu)化了薄膜的均勻性和結(jié)晶度。最終制得的p型晶體管性能顯著提升，空穴遷移率超過30 cm2/V·s，開關(guān)電流比達(dá)到10⁸，性能與商用n型氧化物半導(dǎo)體相當(dāng)，能夠?qū)崿F(xiàn)快速信號(hào)處理和低功耗運(yùn)行。 這項(xiàng)技術(shù)不僅解決了溶液法的局限性，還具備與現(xiàn)有OLED生產(chǎn)設(shè)備的兼容性，為大規(guī)模制造低成本、高性能電子器件奠定了基礎(chǔ)。其低溫加工特性（低于300℃）尤其適合柔性顯示器、可穿戴設(shè)備等應(yīng)用場景。 《每日科學(xué)》網(wǎng)站（www.sciencedaily.com） |
