在 嵌入式系統(tǒng)開發(fā)領(lǐng)域，存儲器作為信息交互的核心載體，其技術(shù)特性直接影響著系統(tǒng)性能與穩(wěn)定性。然而，有些人在面對 Linux、安卓等復(fù)雜操作系統(tǒng)環(huán)境時，理解其存儲機制尚存局限，為突破這些技術(shù)瓶頸，飛凌嵌入式希望通過對存儲相關(guān)知識的分享，助力大家構(gòu)建完整的存儲知識體系框架。 首先，嵌入式場景中常用來存儲數(shù)據(jù)的介質(zhì)分為兩類： Managed NAND，以eMMC（embedded Multi-Media Card）TF卡、SD卡為主內(nèi)部帶有存儲管理控制器。 Raw NAND，以NAND為主的未帶有存儲管理功能，只包含簡單IO邏輯控制。
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上圖描述了NAND存儲和eMMC存儲的關(guān)系，NAND Controller代指核心板的CPU，NAND指實際參與存儲的區(qū)域，由此看出實際上eMMC和NAND的區(qū)別在于存儲管理控制是在eMMC內(nèi)部還是核心板的 CPU。存儲管理主要包括功能：壞塊管理、ECC校驗、磨損均衡、數(shù)據(jù)保持和地址管理及映射等。
01存儲的相關(guān)概念存儲類型分為SLC、MLC、TLC、QLC。嵌入式常用類型低存儲容量一般為SLC和MLC，高存儲容量一般是TLC。
SLC (Single-Level Cell) 速度快，壽命長，價格貴，理論擦寫次數(shù)在10萬次左右。
MLC (Multi-Level Cell) 速度較快，壽命較長、價格較貴，理論擦寫次數(shù)在3000-5000次。
TLC (Trinary-Level Cell) 速度較慢，壽命較短、價格最便宜，理論擦寫次數(shù)在1000-3000次。
QLC (Quad-Level Cell) 容量可以做的更大，成本上更低，劣勢就是P/E壽命更短。
pSLC (pseudo SLC) 以 MLC的FLASH為基礎(chǔ)，但在每個Cell中只存1 bit而不是2 bit數(shù)據(jù)。由于在同一個Cell中跟SLC一樣只存儲一個bit，但又不是真的 SLC，所以稱之pSLC。依上述原理，若將MLC用做pSLC，存儲空間將減半，壽命通�？梢蕴嵘�3萬次左右。
P/E (Program/Erase Count) ：擦寫壽命。耐用性兩個指標之一。
TBW (Total Bytes Written) ：總寫入量。是廠商用以界定質(zhì)保期的數(shù)值，即超過了這個數(shù)值的寫入量之后，廠商就不再給予質(zhì)保服務(wù)。耐用性兩個指標之一。
FW (Firmware) ：由于eMMC內(nèi)部控制器屬于軟件編程控制器，會需要固件，eMMC在存儲廠家出廠前已經(jīng)燒錄對應(yīng)固件。
WA (Write amplification) ：寫放大。表示實際寫入的物理數(shù)據(jù)量是寫入數(shù)據(jù)量的多少倍，即：閃存寫入的數(shù)據(jù)量÷主控寫入的數(shù)據(jù)量 = 寫放大。
GC（Garbage Collection) ：垃圾回收。NAND介質(zhì)的存儲寫入是按照頁（Page）寫入，是按照塊（Block）擦除。
02eMMC和NAND的差異（1）eMMC與NAND對比
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（2） eMMC的相關(guān)特點
（3）NAND的相關(guān)特點系統(tǒng)的驅(qū)動主要是由 SoC廠家及系統(tǒng)上游邏輯決定，針對不同的NAND存儲介質(zhì)無法發(fā)揮出最大優(yōu)勢，或者存在驅(qū)動邏輯兼容性問題。
NAND容易出現(xiàn)位翻轉(zhuǎn)、壞塊等情況，相比eMMC內(nèi)部管理，CPU管理需要占用較大系統(tǒng)開銷用來維護存儲內(nèi)容。
接口標準采用ONFI接口協(xié)議，但是不同廠家的NAND的頁、OOB區(qū)及塊大小等配置存在差異，如果物料停產(chǎn)需要換型會存在鏡像不兼容風險。
NAND的布局控制是由CPU管理，對應(yīng)的分區(qū)管理和邏輯定制會有很大的靈活性，根據(jù)實際應(yīng)用場景制定不同的管理策略。
NAND單位存儲壽命較長。
綜上，產(chǎn)品存儲選型建議使用帶有管理功能的eMMC。
03存儲使用建議[color=rgba(0, 0, 0, 0.9)]eMMC：建議預(yù)留25%空間，避免頻繁觸發(fā)GC。
由于存儲的最小寫入單元是Page，最小的擦除單元是Block。以16K page舉例，如果單次寫入小于 一個Page的數(shù)據(jù)，會造成寫放大。如果單次寫入數(shù)據(jù)遠遠小于Page的大小，寫放大會很嚴重。最終會導(dǎo)致壽命大大縮短。建議對小數(shù)據(jù)先通過DDR內(nèi)存進行緩沖，緩沖一定數(shù)據(jù)再組合寫入。
使用中如果出現(xiàn)異常斷電，定期需要對文件系統(tǒng)使用工具掃描修復(fù)，避免由于異常斷電數(shù)據(jù)未及時 保存導(dǎo)致文件系統(tǒng)異常。如果是頻繁異常掉電場景，可以增加硬件加掉電保護措施，用來保證系統(tǒng)穩(wěn)定性。
產(chǎn)品設(shè)計初期，需要結(jié)合實際應(yīng)用場景存儲數(shù)據(jù)的頻率，為保證產(chǎn)品壽命要求，評估選擇合適的存儲類型和容量。
04飛凌嵌入式賦能（1）針對eMMC，根據(jù)對壽命及健康信息讀取分析，讓應(yīng)用掌握更全面的存儲信息，并作出合理的調(diào)整。
（2）針對NAND，根據(jù)增加手段統(tǒng)計實際NAND的擦寫、搬移、標記等信息，給出應(yīng)用IO操作改善建議。
（3）針對所有類型存儲，根據(jù)對終端設(shè)備不同使用場景特點采集分析，評估出更適合場景的應(yīng)用編寫參考。
- 終端實際應(yīng)用場景主要集中在：日志循環(huán)存儲、應(yīng)用關(guān)鍵數(shù)據(jù)參數(shù)存儲及緩沖數(shù)據(jù)。
- 日志循環(huán)存儲特點：循環(huán)擦寫，寫入頻繁，讀取不頻繁。和文件系統(tǒng)同時存在，會出現(xiàn)寫頻繁 和只讀混放數(shù)據(jù)，會影響整體的穩(wěn)定性。舉例：大部分eMMC的損耗平衡特性是全盤范圍，軟件上的文件系統(tǒng)分區(qū)未實現(xiàn)想要的數(shù)據(jù)隔離效果，這個其實可以在初期評估階段解決。
- 關(guān)鍵數(shù)據(jù)特點：小數(shù)據(jù)量狀態(tài)信息，比較重要，信息量不大。
- 緩沖數(shù)據(jù)特點：順序?qū)懭�，整體擦除。
實際軟件開發(fā)過程中，根據(jù)如上數(shù)據(jù)特點，為保證產(chǎn)品穩(wěn)定性在如下3個階段給出優(yōu)化方案：
產(chǎn)品開發(fā)完成前做實際存儲的優(yōu)化。產(chǎn)品的樣機測試階段需要對系統(tǒng)實際讀寫頻次、大小做接 口數(shù)據(jù)統(tǒng)計分析，對存儲做數(shù)據(jù)穩(wěn)定性分析（例：NAND存儲變位及壞塊分析）。通過分析給 出讀寫數(shù)據(jù)單元大小優(yōu)化建議、連續(xù)/隨機讀寫優(yōu)化建議。
產(chǎn)品部署前做最終的預(yù)估壽命評估。結(jié)合最終優(yōu)化效果給出實際應(yīng)用中的一個壽命預(yù)估。
除上述優(yōu)化策略外，不同eMMC、NAND廠家在滿足接口協(xié)議標準前提下提供了不同的優(yōu)化特性，部分優(yōu)化特性需要結(jié)合操作系統(tǒng)修改才能發(fā)揮出更好的效果。
05總 結(jié)存儲穩(wěn)定性直接關(guān)乎到最終產(chǎn)品的穩(wěn)定性，本文圍繞eMMC和NAND的特性做了對比介紹，目的是幫助研發(fā)工程師在實際開發(fā)產(chǎn)品過程中更簡單、更高效。
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