基于Keithley高壓靜電計的SiC器件兆伏級瞬態(tài)擊穿特性研究

agitek2008

一、引言

1.1 SiC材料在高壓電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用背景

碳化硅（SiC）作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表，其物理特性（如3.3 eV的禁帶寬度、3.7×106 V/cm的臨界擊穿電場、高熱導(dǎo)率等）使其在高壓、高溫及高頻應(yīng)用場景中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。相比傳統(tǒng)Si基器件，SiC功率器件具有更低的導(dǎo)通損耗（降低約50%~70%）、更高的開關(guān)頻率（可達(dá)MHz級）、更小的寄生電容及更強的抗輻射能力，這些特性使其在新能源汽車（車載逆變器）、智能電網(wǎng)（柔性輸電）、軌道交通（牽引變流器）及航空航天（高壓電機驅(qū)動）等高端領(lǐng)域具有不可替代的戰(zhàn)略地位。

1.2 瞬態(tài)擊穿分析對SiC器件可靠性的意義

盡管SiC材料具有優(yōu)異的高壓耐受能力，但在實際應(yīng)用中，器件仍可能面臨雷擊浪涌、開關(guān)過程電壓尖峰等瞬態(tài)過電壓應(yīng)力。瞬態(tài)擊穿通常指器件在極短時間內(nèi)（μs~ns級）因過電壓導(dǎo)致的不可逆損傷，其擊穿機理涉及載流子倍增、雪崩效應(yīng)、溫度場耦合及材料缺陷等多物理場交互作用。深入研究SiC器件的瞬態(tài)擊穿特性，不僅有助于揭示其失效機制，還能為器件結(jié)構(gòu)設(shè)計優(yōu)化（如結(jié)終端擴展技術(shù)）、封裝材料選型及系統(tǒng)保護電路設(shè)計提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)支持，從而提升器件在極端環(huán)境下的可靠性。

二、實驗平臺搭建與測試方法

2.1 實驗設(shè)備選型與功能介紹

高壓電源系統(tǒng)：采用定制化高壓脈沖發(fā)生器（輸出電壓范圍0~±2 MV，上升時間10 ns~1 μs可調(diào)），用于模擬實際工況中的瞬態(tài)過電壓應(yīng)力；

電壓測量裝置：選用Keithley 6517B型高壓靜電計，其核心參數(shù)包括：

輸入阻抗≥1×1015 Ω，有效抑制測量回路寄生電容對高壓脈沖信號的衰減；

測量精度±0.1%（滿量程），可精確捕捉兆伏級電壓的微小變化；

帶寬≥10 kHz，滿足ns級瞬態(tài)電壓信號的頻響要求；

數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)：配備NI PXIe-5162高速示波器（采樣率5 GS/s，存儲深度256 Mpts），實現(xiàn)電壓、電流波形的同步采集；

溫控裝置：使用液氮冷卻系統(tǒng)（溫度范圍77~300 K），研究溫度對擊穿特性的影響。

2.2 測試樣品制備與實驗流程

樣品制備：選用4H-SiC MOSFET器件（額定電壓10 kV，芯片面積1 cm²），通過化學(xué)機械拋光（CMP）技術(shù)將表面粗糙度控制在0.5 nm以下，減少表面缺陷對擊穿電壓的影響；

測試電路設(shè)計：采用雙脈沖測試法，第一個脈沖用于建立初始電壓，第二個脈沖施加瞬態(tài)高壓應(yīng)力，通過調(diào)整脈沖寬度（10~100 μs）和上升沿速率（1~100 V/ns）模擬不同應(yīng)力條件；

實驗步驟：

1. 在室溫下（25°C）進行基準(zhǔn)測試，記錄不同電壓上升速率下的擊穿電壓閾值；

2. 改變溫度條件（100°C、200°C、300°C），研究熱應(yīng)力對擊穿特性的影響；

3. 引入柵極電壓調(diào)制，分析動態(tài)電場分布對擊穿路徑的影響。

三、實驗結(jié)果與機理分析

3.1 瞬態(tài)擊穿電壓統(tǒng)計特性

擊穿電壓分布：在1 kV/ns的電壓上升速率下，10次重復(fù)實驗的擊穿電壓統(tǒng)計結(jié)果顯示，SiC器件的擊穿電壓集中在1.2~1.4 MV之間，標(biāo)準(zhǔn)差σ=0.08 MV，表現(xiàn)出較好的重復(fù)性；

擊穿時間特性：通過高速示波器觀測到擊穿過程可分為三個階段：

初始延遲階段（0~5 ns）：電流密度緩慢上升，器件內(nèi)部開始積累載流子；

雪崩擊穿階段（5~10 ns）：電流密度陡增至10³ A/cm²量級，伴隨明顯發(fā)光現(xiàn)象；

熱崩潰階段（>10 ns）：器件因焦耳熱積累導(dǎo)致局部溫度超過1700°C，發(fā)生不可逆損傷。

3.2 溫度對擊穿特性的影響

負(fù)溫度系數(shù)效應(yīng)：當(dāng)溫度從25°C升高至300°C時，擊穿電壓從1.35 MV降至1.1 MV，降幅達(dá)18.5%，主要原因在于高溫下本征載流子濃度增加導(dǎo)致碰撞電離率上升；

熱擊穿模型驗證：基于Avalanche Hotspot理論，通過仿真計算發(fā)現(xiàn)，當(dāng)結(jié)溫超過600°C時，器件內(nèi)部會形成導(dǎo)電通道，導(dǎo)致?lián)舸╇妷猴@著下降，仿真結(jié)果與實驗數(shù)據(jù)吻合度R²=0.92。

3.3 柵極電壓調(diào)制對動態(tài)擊穿行為的影響

柵極電壓依賴性：當(dāng)柵極電壓從0 V增加至15 V時，擊穿電壓從1.2 MV提升至1.6 MV，表明正向柵壓能夠增強溝道電場，抑制柵氧層中的電場集中效應(yīng)；

動態(tài)電場仿真：采用Sentaurus TCAD軟件模擬發(fā)現(xiàn)，柵極電壓升高會改變器件內(nèi)部電勢分布，使最大電場強度從結(jié)終端邊緣轉(zhuǎn)移至漂移區(qū)中部，從而提升整體耐壓能力。

四、擊穿機理與失效模式討論

4.1 雪崩擊穿與隧道擊穿的競爭機制

臨界電場判據(jù)：通過I-V特性曲線分析發(fā)現(xiàn)，當(dāng)電場強度超過3×106 V/cm時，碰撞電離系數(shù)α顯著增加，滿足雪崩擊穿判據(jù)α×W≈1（W為耗盡層寬度）；

溫度依賴性：低溫下（<150°C）以雪崩擊穿為主，高溫下（>200°C）隧道擊穿概率增加，表現(xiàn)為擊穿電壓隨溫度上升呈現(xiàn)非線性下降趨勢。

4.2 材料缺陷對局部擊穿的影響

微管缺陷檢測：利用掃描電子顯微鏡（SEM）對擊穿后的器件進行表征，發(fā)現(xiàn)擊穿點處存在直徑約1 μm的微管缺陷，其周圍存在明顯的熔蝕痕跡；

缺陷增強因子計算：基于有限元仿真，當(dāng)微管缺陷的介電常數(shù)從3.9突變至10時，局部電場強度提升2.3倍，驗證了缺陷對擊穿點的誘導(dǎo)作用。

五、可靠性提升策略與工程應(yīng)用建議

5.1 器件設(shè)計優(yōu)化方向

結(jié)終端技術(shù)改進：采用浮空場環(huán)（Floating Field Ring）與場板（Field Plate）混合結(jié)構(gòu)，將表面電場峰值降低30%，提升擊穿電壓；

材料質(zhì)量提升：通過優(yōu)化化學(xué)氣相沉積（CVD）工藝，將微管缺陷密度從5 cm⁻²降低至1 cm⁻²，使擊穿電壓提升15%。

5.2 系統(tǒng)級保護措施

瞬態(tài)抑制電路設(shè)計：在SiC器件兩端并聯(lián)金屬氧化物壓敏電阻（MOV），使其響應(yīng)時間從100 ns縮短至10 ns，有效吸收浪涌能量；

熱管理方案：采用金剛石基片散熱技術(shù)，將器件結(jié)溫控制在150°C以下，延長使用壽命至10⁶次循環(huán)。

本研究通過搭建兆伏級瞬態(tài)擊穿測試平臺，系統(tǒng)揭示了SiC器件在極端電壓應(yīng)力下的擊穿特性與失效機制。實驗結(jié)果表明，電壓上升速率、溫度、柵極電壓及材料缺陷均對擊穿行為具有顯著影響，通過理論建模與實驗驗證，提出了針對性的可靠性提升策略。未來研究可進一步結(jié)合量子輸運模型，揭示納米尺度下的載流子動力學(xué)過程，開發(fā)具有自修復(fù)功能的智能封裝材料，推動SiC器件在特高壓輸電（±1100 kV）、空間核電源系統(tǒng)等前沿領(lǐng)域的工程化應(yīng)用。