電子行業(yè)正在向更加緊湊而強大的系統快速轉型。為了支持這一趨勢并進一步推動系統層面的創(chuàng)新，全球功率系統、汽車和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴展其CoolSiC MOSFET 650 V單管產品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產品系列。
CoolSiC MOSFET 650 V G2 Q-DPAK TSC 這兩個產品系列采用頂部和底部冷卻并基于CoolSiC Generation 2（G2） 技術，其性能、可靠性和易用性均有顯著提高。它們專門用于中高功率開關模式電源（SMPS）開發(fā)，包括AI服務器、可再生能源、充電樁、電動交通工具和人形機器人、電視機、驅動器以及固態(tài)斷路器。 TOLL封裝具有出色的板載熱循環(huán)（TCoB）能力，可通過減少印刷電路板（PCB）占板面積實現緊湊的系統設計。在用于SMPS時，它還能減少系統級制造成本。TOLL封裝現在適用于更多目標應用，使PCB設計者能夠進一步降低成本并更好地滿足市場需求。 Q-DPAK封裝的推出補充了英飛凌正在開發(fā)的新型頂部冷卻（TSC）產品，包括CoolMOS 8、CoolSiC、CoolGaN和OptiMOS。TSC產品使客戶能夠以低成本實現出色的穩(wěn)健性以及更大的功率密度和系統效率，還能將直接散熱率提高至95%，通過實現PCB的雙面使用更好地管理空間和減少寄生效應。 供貨情況 采用TOLL和Q-DPAK封裝的CoolSiC MOSFET 650 V G2現已上市，前者的RDS(on)值為10至60 mΩ，后者的RDS(on)值為 7、10、15 和 20 mΩ。更多信息，請訪問www.infineon.com/coolsic-g2。 |
