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英國薩里大學的一項新研究在解析二維材料六方氮化硼（hBN）的生長機制及其在金屬基板上的納米結構方面取得了突破，為更高效的電子產品、更清潔的能源解決方案和更環(huán)保的化學制造鋪平了道路。 厚度僅為一個原子的hBN，通常被稱為“白色石墨烯”，是一種超薄且極具彈性的材料。它能夠阻隔電流，承受極端溫度，并抵御化學腐蝕。其獨特的多功能性使其成為先進電子產品中不可或缺的組件，可用于保護精密微芯片，并推動更快、更高效的晶體管開發(fā)。 更進一步，研究人員展示了納米多孔hBN的形成。這種結構具有精確的孔隙設計，可實現(xiàn)選擇性吸收、先進催化和增強功能，極大拓展了其在環(huán)境領域的應用前景。例如，可用于污染物過濾和傳感，或作為氫儲存與燃料電池電化學催化劑的核心材料，提升能源系統(tǒng)性能。 研究團隊與奧地利格拉茨理工大學合作，通過結合密度泛函理論和微動力學模型，繪制出hBN的原子級生長過程。他們深入研究了擴散、分解、吸附、解吸、聚合和脫氫等關鍵分子過程，從而開發(fā)出一種可預測任意溫度下材料生長的模型。 這項研究成果已發(fā)表在納米科技領域知名期刊《Small》雜志上。 《每日科學》網站（www.sciencedaily.com） |
