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集成了雙通道電容型模擬前端傳感電路的新一代電容傳感微處理器SOC芯片

發(fā)布時間:2024-12-27 09:36    發(fā)布者:liao775a
工采網(wǎng)代理的MCP61系列(Mysentech Capacitive Processor)是新一代電容傳感微處理器SOC芯片,集成了雙通道電容型模擬前端傳感電路AFECAP),可直接與被測物附近的差分電容極板相連,通過諧振激勵并解算測量微小電容的變化。激勵頻率在0.1~20MHz范圍內(nèi)可配置,其頻率測量輸出為16bit數(shù)字信號,對應(yīng)的電容感知較高分辨率為1fF
為了解決各行業(yè)的電容傳感應(yīng)用,SOC芯片集成了Arm® Cortex®-M0內(nèi)核的微處理器,可實現(xiàn)各種嵌入式感知處理的算法,將原始的振蕩頻率數(shù)值,轉(zhuǎn)換成電容值及液位、含水率、位移距離等具體物理量。此外,芯片的模擬前端還集成了溫度傳感電路,可用于進行溫度補償?shù)膫鞲袌鼍。?nèi)置的16KB Flash存儲器,2KB SRAM,可讓開發(fā)者編寫應(yīng)用軟件,并存儲傳感校準(zhǔn)及應(yīng)用數(shù)據(jù)。芯片同時集成了ADC、高級定時器、通用定時器、位基本定時器等硬件資源以及USART、SPII2C接口。
數(shù)字電容傳感芯片 - MCP61的特性:
電容檢測前端
– 測量雙端互電容
– 電容測量范圍:1~1000pF
– 電容檢測頻率:0.1~20MHz
內(nèi)核與系統(tǒng)
32-bit Arm®Cortex®-M0
– 工作頻率可達48MHz
l 存儲器
16KB Flash存儲器
2KB SRAM
時鐘、復(fù)位和電源管理
2.5V~5.5V供電
– 上電/斷電復(fù)位(POR/PDR)、可編程電壓監(jiān)測器(PVD
– 內(nèi)嵌48MHz HSI高速振蕩器
– 內(nèi)嵌40KHz LSI低速振蕩器
– 支持較高48MHz外部時鐘輸入(HSE,通過OSCIN引腳)
低功耗
– 多種低功耗模式,包括:睡眠(Sleep)、停機(Stop)和深度停機(Deep Stop
– 平均功耗:12uA@1Hz
5個定時器
1164通道高級控制定時器(TIM1
1164通道通用定時器(TIM3
116位基本定時器(TIM14
1個獨立時鐘的硬件看門狗定時器(IWDG
1Systick定時器:24位自減型計數(shù)器
11個快速I/O端口
– 所有I/O口可以映像到外部中斷
– 所有端口均可輸入輸出電壓不高于VDD的信號
3個通信接口
1USART接口(支持SPI模式)
1I2C接口
1SPI接口
112位模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC),支持較快1μs轉(zhuǎn)換時間(1MSPS 采樣率),配置5個外
部通道和1個可采集內(nèi)置參考電壓的內(nèi)部通道
CRC計算單元
96位芯片唯一IDUID
調(diào)試模式–串行調(diào)試接口(SWD)接口
工作溫度范圍-40~+85
QSOP24/QFN24 封裝可選
數(shù)字電容傳感芯片 - MCP61的應(yīng)用:
連續(xù)液位檢測
水浸檢測
物質(zhì)介電檢測
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