色偷偷偷久久伊人大杳蕉,色爽交视频免费观看,欧美扒开腿做爽爽爽a片,欧美孕交alscan巨交xxx,日日碰狠狠躁久久躁蜜桃
搜索
熱門關(guān)鍵詞:
電壓
集成電路
賽靈思
RFID
Fluke
手機版
官方微博
微信公眾號
登錄
|
免費注冊
首頁
新聞
新品
文章
下載
電路
問答
視頻
職場
雜談
會展
工具
博客
論壇
在線研討會
技術(shù)頻道:
單片機/處理器
FPGA
軟件/編程
電源技術(shù)
模擬電子
PCB設(shè)計
測試測量
MEMS
系統(tǒng)設(shè)計
無源/分立器件
音頻/視頻/顯示
應(yīng)用頻道:
消費電子
工業(yè)/測控
汽車電子
通信/網(wǎng)絡(luò)
醫(yī)療電子
機器人
當前位置:
EEChina首頁
›
論壇
›
電源技術(shù)
返回列表
查看:
4170
|
回復(fù):
1
[提問]
功率MOSFET和IGBT各有什么特性?
[復(fù)制鏈接]
wccd
wccd
當前離線
積分
466
電梯直達
樓主
發(fā)表于 2012-3-7 22:37:37
|
只看該作者
|
倒序瀏覽
|
閱讀模式
貿(mào)澤電子有獎問答視頻,回答正確發(fā)放10元微信紅包
關(guān)鍵詞:
IGBT
,
MOSFET
功率
MOSFET
和
IGBT
各有什么特性?
收藏
0
頂
1
踩
0
相關(guān)文章
•
英飛凌推出75 mΩ工業(yè)級CoolSiC 650 V G2系列MOSFET,適用于具備高功率密度需求的中功率應(yīng)用場景
•
iDEAL半導(dǎo)體推出具有行業(yè)領(lǐng)先性價比的200 V SuperQ MOSFET系列
•
東芝推出采用TOLL封裝的第3代650V SiC MOSFET
•
英飛凌 | SiC MOSFET在三相四橋臂變換器中的應(yīng)用優(yōu)勢
•
英飛凌 | CoolSiC™ MOSFET G2如何正確選型
•
英飛凌 | CoolSiC™ MOSFET G2導(dǎo)通特性解析
•
吉時利數(shù)字源表2450如何實現(xiàn)MOSFET柵極漏電流的超低噪聲測量
•
英飛凌 | CoolSiC™ MOSFET Gen2性能綜述
•
英飛凌推出具有超低導(dǎo)通電阻的CoolSiC MOSFET 750 V G2,適用于汽車和工業(yè)功率電子應(yīng)用
•
東芝推出采用DFN8×8封裝的新型650V第3代SiC MOSFET
回復(fù)
舉報
wccd
wccd
當前離線
積分
466
沙發(fā)
樓主
|
發(fā)表于 2012-3-7 22:44:09
|
只看該作者
對控制要求有些差異吧。
回復(fù)
支持
反對
舉報
返回列表
高級模式
B
Color
Image
Link
Quote
Code
Smilies
您需要登錄后才可以回帖
登錄
|
立即注冊
本版積分規(guī)則
發(fā)表回復(fù)
回帖后跳轉(zhuǎn)到最后一頁
關(guān)于我們
-
服務(wù)條款
-
使用指南
-
站點地圖
-
友情鏈接
-
聯(lián)系我們
電子工程網(wǎng)
© 版權(quán)所有
京ICP備16069177號
| 京公網(wǎng)安備11010502021702
快速回復(fù)
返回頂部
返回列表