（APM永源微）AP30N15D 150V 30A N溝道增強(qiáng)型MOSFET、封裝TO-252-3L

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概述：
AP30N15D采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，可提供出色的R-D（ON）、低柵極電荷和低至4.5V的柵極電壓。該裝置適用于電池保護(hù)或其他開關(guān)應(yīng)用。



一般特性
- V-DS=150V，I-D=30A
- V-GS=10V時(shí)，R-DS（開啟）<52mΩ




數(shù)據(jù)手冊(cè)







應(yīng)用領(lǐng)域：【不間斷電源】【電池保護(hù)】【負(fù)載開關(guān)】

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