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來源：大半導體產業(yè)網(wǎng) 據(jù)天府絳溪實驗室官微消息，近日，電子科技大學信息與量子實驗室、天府絳溪實驗室量子互聯(lián)網(wǎng)前沿研究中心與清華大學、中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所合作，在國際上首次研制出氮化鎵量子光源芯片，這是電子科技大學“銀杏一號”城域量子互聯(lián)網(wǎng)研究平臺取得的又一項重要進展，也是天府絳溪實驗室在關鍵核心技術領域取得的又一創(chuàng)新成果。 據(jù)悉，研究團隊通過迭代電子束曝光和干法刻蝕工藝，攻克高質量氮化鎵晶體薄膜生長、波導側壁與表面散射損耗等技術難題，在國際上首次將氮化鎵材料運用于量子光源芯片。目前，量子光源芯片多使用氮化硅等材料進行研制，與之相比，氮化鎵量子光源芯片在輸出波長范圍等關鍵指標上取得突破，輸出波長范圍從25.6納米增加到100納米，并可朝著單片集成發(fā)展。 此項研究工作得到國家科技創(chuàng)新2030重大項目、國家自然科學基金、四川省科技計劃等大力支持。近日，以“Quantum Light Generation Based on GaN Microring toward Fully On-Chip Source”為題，發(fā)表在國際著名學術期刊《物理評論快報》上，并被選為“物理亮點”進行重點宣傳報道。 據(jù)了解，天府絳溪實驗室量子互聯(lián)網(wǎng)前沿研究中心聚力攻關量子互聯(lián)網(wǎng)領域關鍵核心技術。當前，中心正在加快布局城域量子互聯(lián)網(wǎng)、量子人工智能、量子信息器件等產業(yè)方向，大力推動量子賦能新質生產力在政務、金融、醫(yī)療、健康等領域的應用落地，堅定厚植量子科技的前沿研究和創(chuàng)新應用。 |
