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來源：全球半導體觀察整理 據(jù)江南大學消息，近日，江蘇省重點研發(fā)計劃“產(chǎn)業(yè)前瞻與關(guān)鍵核心技術(shù)”專項2023年度項目立項名單公示結(jié)束，“氮化鎵微波毫米波無線能量轉(zhuǎn)換芯片關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)”項目獲得立項，這是學校作為主持單位獲得的首個千萬級江蘇省重點研發(fā)項目，總預算2500萬元，省級財政經(jīng)費支持1000萬元。 “氮化鎵微波毫米波無線能量轉(zhuǎn)換芯片關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)”項目由江南大學物聯(lián)網(wǎng)工程學院敖金平教授團隊牽頭組織，聯(lián)合蘇州實驗室、蘇州納維科技有限公司、中國電子科技集團公司第五十五研究所、無錫華潤安盛科技有限公司、南京大學、江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司共同參與，擬在氮化鎵基微波毫米波無線能量轉(zhuǎn)換芯片相關(guān)方面取得突破性進展，并打通從實驗室到產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，實現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)從“實驗室”走向“生產(chǎn)線”。 敖金平教授表示，該項目就是要依托各單位特色優(yōu)勢，在自支撐氮化鎵材料襯底上研發(fā)出高性能、低成本的微波-直流轉(zhuǎn)換芯片。通過探索新型半導體工藝、先進封測技術(shù)來提高芯片穩(wěn)定性、可靠性，團隊有信心整體性能達到國際前沿水平。 目前，江南大學建有寬帶隙/超寬禁帶半導體材料與器件實驗室，擁有材料生長和器件工藝超凈間，器件制備用的光刻機、等離子體刻蝕機、磁控濺射臺、快速熱退火系統(tǒng)等全套工藝設(shè)備，具有完整的材料生長、器件制備及測試評價能力。 敖金平教授團隊有二十多年的GaN器件及電路研究經(jīng)歷，先后牽頭/參與完成了科技部重點專項、國家自然科學基金重大/重點項目等多項GaN基電子器件相關(guān)的科研項目。團隊研發(fā)了多款氮化鎵微波整流芯片，其微波-直流轉(zhuǎn)換效率達到90%以上，業(yè)內(nèi)領(lǐng)先。 |
