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—降低插入損耗，改善高頻信號(hào)傳輸特性— 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）推出采用小巧纖薄的WSON4封裝的光繼電器“TLP3475W”。它可以降低高頻信號(hào)中的插入損耗，并抑制功率衰減，適用于使用大量繼電器且需要實(shí)現(xiàn)高速信號(hào)傳輸?shù)?a href="http://m.54549.cn/keyword/半導(dǎo)體" target="_blank" class="relatedlink">半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備的引腳電子器件。該產(chǎn)品于近日開(kāi)始支持批量出貨。 
TLP3475W采用了東芝經(jīng)過(guò)優(yōu)化的封裝設(shè)計(jì)，這有助于降低新型光繼電器的寄生電容和電感。降低插入損耗的同時(shí)還可將高頻信號(hào)的傳輸特性提高到20GHz（典型值）——與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品TLP3475S相比，插入損耗降低了約1/3[2]。 TLP3475W采用厚度僅為0.8mm（典型值）的小巧纖薄的WSON4封裝，是目前業(yè)界最小的[3]光繼電器，其成功的改善了高頻信號(hào)傳輸特性。它的厚度比東芝的超小型S-VSON4T封裝還薄40%，且支持在同一電路板上貼裝更多產(chǎn)品，將有助于提高測(cè)量效率。 東芝將繼續(xù)擴(kuò)大其產(chǎn)品線，為更高速和更強(qiáng)大功能的半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備提供支持。 S21插入損耗特性 應(yīng)用： - 半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備（高速存儲(chǔ)器測(cè)試設(shè)備、高速邏輯測(cè)試設(shè)備等） - 探測(cè)卡 - 測(cè)量設(shè)備 特性： - 業(yè)界最小的[3]WSON4封裝：1.45mm×2.0mm（典型值），厚度＝0.8mm（典型值） - 改善高頻信號(hào)的傳輸：當(dāng)插入損耗（S21）＝–3dB時(shí)，f＝20GHz（典型值） - 常開(kāi)功能（1-Form-A） 主要規(guī)格： （除非另有說(shuō)明，Ta＝25℃）
[1] 當(dāng)頻段范圍在幾百兆赫茲至上萬(wàn)兆赫茲時(shí)。 [2] 信號(hào)通過(guò)輸出MOSFET時(shí)功率衰減比（插入損耗）為–3dB的頻段。 [3] 適用于光繼電器。截至2023年10月的東芝調(diào)查。 如需了解有關(guān)新產(chǎn)品的更多信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)以下網(wǎng)址： TLP3475W https://toshiba-semicon-storage. ... etail.TLP3475W.html 如需了解相關(guān)東芝光繼電器的更多信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)以下網(wǎng)址： 光繼電器（MOSFET輸出） https://toshiba-semicon-storage. ... -mosfet-output.html 如需了解相關(guān)新產(chǎn)品在線分銷商網(wǎng)站的供貨情況，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)以下網(wǎng)址： TLP3475W https://toshiba-semicon-storage. ... heck.TTLP3475W.html | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
