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大聯(lián)大友尚集團推出基于ST產(chǎn)品的65W PD快充方案

發(fā)布時間:2023-9-19 20:42    發(fā)布者:eechina
大聯(lián)大旗下友尚推出基于意法半導體(ST)VIPERGAN65芯片以及SRK1001和STUSB476QTR芯片的65W PD快充方案。



圖示1-大聯(lián)大友尚基于ST產(chǎn)品的65W PD快充方案的展示板圖

在5G、物聯(lián)網(wǎng)技術的不斷推進下,越來越多的移動電子設備涌入市場,為人們的生活帶來極大的便利。然而隨著用戶對移動設備的依賴性日益增強,高效的充電需求也與日俱增。在這種趨勢下,能夠提升充電速率的PD充電器迅速進入快車道,且市場發(fā)展前景廣闊。為助力廠商加快PD充電器的開發(fā),大聯(lián)大友尚基于ST VIPERGAN65芯片推出65W PD快充方案,該方案具有緊湊設計的特點,可滿足手機、筆記本等移動設備的快充需求。


圖示2-大聯(lián)大友尚基于ST產(chǎn)品的65W PD快充方案的場景應用圖

VIPERGAN65是一款高壓轉換器,內(nèi)部集成一個脈寬調(diào)制(PWM)控制器和一個650V增強型GaN功率晶體管,能夠在寬范圍內(nèi)提供高達65W的輸出功率。并且具有低靜態(tài)電源管理可用于系統(tǒng)實現(xiàn)低待機功耗。不僅如此,VIPERGAN65內(nèi)置多種能確保安全性和可靠性的功能,包括輸入電壓前饋補償、輸入/輸出過壓保護、電流檢測、以及上電和掉電保護,且所有保護均為自動重啟模式。

在外觀尺寸方面,VIPERGAN65采用5mm x 6mm QFN封裝,占地面積小、集成度高,能夠在確保卓越的功率密度的同時,節(jié)省物料成本(BOM)。此外,寬帶隙晶體管技術也能進一步提高能效并簡化熱管理設計。


圖示3-大聯(lián)大友尚基于ST產(chǎn)品的65W PD快充方案的方塊圖

本方案初級側主控芯片使用ST VIPERGNA65,次級側同步整流控制器使用ST SRK1001,協(xié)議芯片采用ST STUSB476QTR,輸出接口為主流的USB Type-C。憑著這些器件的出色性能,本方案能夠有效的提高充電效率,助力廠商迅速推出具有PD快充功能的充電產(chǎn)品。

核心技術優(yōu)勢:
65W開發(fā)板優(yōu)勢:
        4個功率點平均效率:>92%;
        空載待機功耗:<50mW(@230 VAC);
        EMI符合IEC55022 B;
        VIPERGAN65集成650V氮化鎵MOS(GaN)可實現(xiàn)緊湊、簡化的PCB布局和減少BOM;
        具有動態(tài)消隱時間和可調(diào)谷底同步延遲功能的QR,可在任意輸入線路和負載條件下最大化效率;
        谷底鎖定;
        輸入電壓前饋補償OPP;
        頻率抖動可抑制EMI。

方案規(guī)格:
65W開發(fā)板規(guī)格:
        輸入電壓:90~264VAC,頻率47~63Hz;
        輸出電壓:單Type-C輸出5V~20VDC;
        輸出功率:最大20V 3.25A@65W;
        尺寸:70mm x 35mm x 25mm(長x寬x高);
        功率密度:>22 W/in3;
        效率:符合歐盟CoC Tier 2和DoE Level 6效率要求,230 VAC 65W時峰值效率>93%。

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