測試背景 地點(diǎn):國外某知名品牌半導(dǎo)體企業(yè),深圳氮化鎵實(shí)驗(yàn)室 測試對象:氮化鎵半橋快充 測試原因:因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時(shí)會(huì)炸管,需要對半橋上管控制信號(hào)的具體參數(shù)進(jìn)行摸底測試 測試探頭:麥科信OIP系列光隔離探頭 現(xiàn)場條件 因該氮化鎵快充PCBA設(shè)計(jì)密度很高,阻容采用0402器件,只能采用不是最優(yōu)方案的同軸延長線連接(通常推薦采用MCX母座連接,可最大限度減少引線誤差)。 現(xiàn)場連接圖如下: ![]() ▲圖1:接線 現(xiàn)場測試步驟 1.將探頭連接10X衰減器,并將衰減器插入同軸延長線; 2.將OIP探頭連接示波器第4通道并開機(jī); 3.將示波器對應(yīng)通道衰減比設(shè)置10X,將輸入電阻設(shè)置為50Ω; 4.給目標(biāo)板上電; ![]() ▲圖2:測試場景1 ![]() ▲圖3:測試場景2 測試結(jié)果 1.Vgs控制電壓5.1V左右,信號(hào)光滑無任何畸變; 2.上管關(guān)斷瞬間負(fù)沖0.5V左右,在氮化鎵器件安全范圍; 3.下管關(guān)斷瞬間引起的負(fù)沖在2.2V左右,在氮化鎵器件安全范圍; 4.Vgs信號(hào)上升時(shí)間240ns左右。 (以上數(shù)據(jù)通過截屏讀數(shù)) ![]() ▲圖4:測試結(jié)果截屏 結(jié)論 1.目標(biāo)板設(shè)計(jì)合理,Vgs控制信號(hào)近乎完美; 2.測試顯示Vgs信號(hào)無任何震蕩,共模干擾被完全抑制; 3.OIP系列光隔離探頭測試氮化鎵半橋上管Vgs,沒有引起炸管。 |