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光隔離探頭實(shí)測案例——氮化鎵GaN半橋上管測試

發(fā)布時(shí)間:2023-1-12 13:35    發(fā)布者:Micsig麥科信
測試背景
地點(diǎn):國外某知名品牌半導(dǎo)體企業(yè),深圳氮化鎵實(shí)驗(yàn)室
測試對象:氮化鎵半橋快充
測試原因:因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時(shí)會(huì)炸管,需要對半橋上管控制信號(hào)的具體參數(shù)進(jìn)行摸底測試
測試探頭:麥科信OIP系列光隔離探頭

現(xiàn)場條件
因該氮化鎵快充PCBA設(shè)計(jì)密度很高,阻容采用0402器件,只能采用不是最優(yōu)方案的同軸延長線連接(通常推薦采用MCX母座連接,可最大限度減少引線誤差)。
現(xiàn)場連接圖如下:


▲圖1:接線
現(xiàn)場測試步驟
1.將探頭連接10X衰減器,并將衰減器插入同軸延長線;
2.將OIP探頭連接示波器第4通道并開機(jī);
3.將示波器對應(yīng)通道衰減比設(shè)置10X,將輸入電阻設(shè)置為50Ω;
4.給目標(biāo)板上電;


▲圖2:測試場景1

▲圖3:測試場景2
測試結(jié)果
1.Vgs控制電壓5.1V左右,信號(hào)光滑無任何畸變;
2.上管關(guān)斷瞬間負(fù)沖0.5V左右,在氮化鎵器件安全范圍;
3.下管關(guān)斷瞬間引起的負(fù)沖在2.2V左右,在氮化鎵器件安全范圍;
4.Vgs信號(hào)上升時(shí)間240ns左右。
(以上數(shù)據(jù)通過截屏讀數(shù))


▲圖4:測試結(jié)果截屏
結(jié)論
1.目標(biāo)板設(shè)計(jì)合理,Vgs控制信號(hào)近乎完美;
2.測試顯示Vgs信號(hào)無任何震蕩,共模干擾被完全抑制;
3.OIP系列光隔離探頭測試氮化鎵半橋上管Vgs,沒有引起炸管。

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