色偷偷偷久久伊人大杳蕉,色爽交视频免费观看,欧美扒开腿做爽爽爽a片,欧美孕交alscan巨交xxx,日日碰狠狠躁久久躁蜜桃

x
x

第三代半導(dǎo)體測(cè)試的突破 —— Micsig光隔離探頭

發(fā)布時(shí)間:2022-12-12 15:31    發(fā)布者:Micsig麥科信
第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)是近幾年新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅(Si)基功率半導(dǎo)體,氮化鎵和碳化硅具有更大的禁帶寬度,更高的臨界場(chǎng)強(qiáng),使得基于這兩種材料制作的功率半導(dǎo)體具有耐壓高、導(dǎo)通電阻低、寄生參數(shù)小等優(yōu)異特性,應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源領(lǐng)域時(shí),具有損耗小、工作頻率高、可靠性高等優(yōu)點(diǎn),可以大大提升開(kāi)關(guān)電源的效率、功率密度和可靠性等。


圖1:碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的開(kāi)關(guān)動(dòng)作時(shí)間
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的開(kāi)關(guān)時(shí)間都在納秒(ns)級(jí)別,這樣的顯著優(yōu)勢(shì)是降低了開(kāi)關(guān)電源的損耗,但是更短的開(kāi)關(guān)時(shí)間意味著高次諧波分量的顯著增加,在橋式電路應(yīng)用中,高壓疊加高頻,上橋臂的浮地測(cè)試給工程師帶來(lái)了極大的挑戰(zhàn)。


圖2: 碳化硅(SiC)與傳統(tǒng)硅基IGBT的頻譜分布
圖2所示,相較于傳統(tǒng)硅基IGBT,碳化硅具有更高的頻率分布和高頻能量。


圖3:上臂Vgs電壓疊加共模干擾電壓Vcm示意圖
圖3所示的半橋電路中,Vgs電壓浮空在擺動(dòng)的Vcm之上,Vcm即下管的Vds,隨著下管QL的導(dǎo)通與關(guān)斷,Vcm在0V和1000V之間跳動(dòng),一般來(lái)說(shuō)Vgs在20V以內(nèi),遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于Vcm ,在測(cè)量時(shí),我們關(guān)心的是Vgs的信號(hào)特征,這是個(gè)差模信號(hào),此時(shí)Vcm成了共模干擾,我們不希望它出現(xiàn)在我們的測(cè)試信號(hào)中,然而事與愿違,共模干擾在電源電路中如影子一般甩不掉,無(wú)論是電源設(shè)計(jì)階段還是測(cè)試分析階段,只能想辦法盡量抑制它的份量:提升差模信號(hào),抑制共模信號(hào)。抑制共模信號(hào)的能力有一個(gè)專(zhuān)門(mén)的指標(biāo),即共模抑制比(CMRR)。
常見(jiàn)的高壓差分探頭在100KHz時(shí),CMRR>60dB,在1MHz時(shí),CMRR>50dB,但是當(dāng)頻率到達(dá)100MHz時(shí),一般只能做到20dB左右。圖2的頻譜看出,碳化硅在100MHz時(shí)仍有巨大的能量,這可以很好的理解為什么傳統(tǒng)的高壓差分探頭無(wú)法勝任這項(xiàng)測(cè)試工作,用其測(cè)試所呈現(xiàn)出波形的準(zhǔn)確性為什么經(jīng)常受到質(zhì)疑。


圖4:碳化硅導(dǎo)通瞬間的Vgs信號(hào)波形
圖4中,黃色為高壓差分探頭在碳化硅導(dǎo)通瞬間的測(cè)試波形?梢钥闯鲂盘(hào)產(chǎn)生了嚴(yán)重的震蕩,在紅圈處的信號(hào)電壓已經(jīng)超過(guò)碳化硅的Vgs極限值,這將導(dǎo)致器件的損壞,但是電路工作一切正常,這明顯是不符合邏輯的。


圖5:碳化硅關(guān)斷期間的Vgs信號(hào)波形
圖5所示,黃色是高壓差分探頭在碳化硅關(guān)斷期間的信號(hào)波形,紅圈處的電壓已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)碳化硅所能承受的負(fù)壓(一般在 -10V以內(nèi)),但是器件并沒(méi)有損壞,這明顯也是不符合邏輯的。
真實(shí)的Vgs信號(hào)是什么樣的?器件的性能是否達(dá)到了設(shè)計(jì)預(yù)期?開(kāi)關(guān)電源電路中的碳化硅或者氮化鎵器件參數(shù)是否有安全冗余?開(kāi)關(guān)損耗計(jì)算的結(jié)果是否真實(shí)?工程師的一系列疑問(wèn)都指向一個(gè)共同的點(diǎn):第三代半導(dǎo)體的測(cè)試難題。
Micsig基于SigOFIT™專(zhuān)有技術(shù)的光隔離探頭正好破解了這個(gè)難題。


圖6:Micsig基于SigOFIT™專(zhuān)有技術(shù)的光隔離探頭
在圖4和圖5中,藍(lán)色的波形為Micsig光隔離探頭測(cè)得的結(jié)果,可以看出目標(biāo)板的Vgs信號(hào)非常平滑,電路參數(shù)設(shè)計(jì)的十分完美,碳化硅器件在安全參數(shù)范圍內(nèi)運(yùn)行。光隔離探頭能觀察到真實(shí)的波形形態(tài),得益于極高的共模抑制能力,Micsig光隔離探頭在200MHz時(shí),仍然有80dB的共模抑制比。
除了碳化硅之外,在針對(duì)氮化鎵的測(cè)試環(huán)境下,光隔離探頭更具有無(wú)與倫比的優(yōu)勢(shì)。氮化鎵相比碳化硅具有更短的開(kāi)關(guān)時(shí)間,對(duì)測(cè)試探頭的共模抑制能力要求更高,這正是光隔離探頭的專(zhuān)長(zhǎng)。差分探頭由于引線一般不少于幾十厘米,具有很大的寄生電容和天線效應(yīng),當(dāng)用差分探頭觸及氮化鎵控制極時(shí),劇烈的震蕩會(huì)引起氮化鎵器件瞬間燒毀爆炸(俗稱炸管),很多做氮化鎵電路設(shè)計(jì)的工程師抱怨說(shuō),一天炸管幾次是常有的事,一碰就炸,人都搞得神經(jīng)兮兮的。Micsig光隔離探頭采用MCX連接,引線極短,幾乎沒(méi)有天線效應(yīng),寄生電容在幾pF之內(nèi),測(cè)試氮化鎵十分安全。
Micsig光隔離探頭采用獨(dú)家SigOFIT™信號(hào)光纖隔離技術(shù),在高壓測(cè)試情況下,很好的解決了人身安全和后端儀器的安全問(wèn)題。光隔離探頭共模電壓可達(dá)60KVpk以上(完全由測(cè)試環(huán)境的絕緣物決定),光纖長(zhǎng)度超過(guò)10米對(duì)信號(hào)也沒(méi)有影響,用戶可以定制需要定制長(zhǎng)度,這是電纜傳輸信號(hào)的所有其他探頭不具有的特質(zhì)。

本文地址:http://m.54549.cn/thread-807696-1-1.html     【打印本頁(yè)】

本站部分文章為轉(zhuǎn)載或網(wǎng)友發(fā)布,目的在于傳遞和分享信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)和對(duì)其真實(shí)性負(fù)責(zé);文章版權(quán)歸原作者及原出處所有,如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問(wèn)題,我們將根據(jù)著作權(quán)人的要求,第一時(shí)間更正或刪除。
您需要登錄后才可以發(fā)表評(píng)論 登錄 | 立即注冊(cè)

關(guān)于我們  -  服務(wù)條款  -  使用指南  -  站點(diǎn)地圖  -  友情鏈接  -  聯(lián)系我們
電子工程網(wǎng) © 版權(quán)所有   京ICP備16069177號(hào) | 京公網(wǎng)安備11010502021702
快速回復(fù) 返回頂部 返回列表