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SABIC全新LNP KONDUIT改性料具有出色的耐高溫性和流動性,可用于復(fù)雜設(shè)計的DDR內(nèi)存芯片測試插座

發(fā)布時間:2022-12-6 17:40    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: KONDUIT , 8TF36E , 改性料 , 測試插座
沙特基礎(chǔ)工業(yè)公司(SABIC)今天推出了LNP KONDUIT 8TF36E改性料。這是一款新型特種材料,可使用于雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR)內(nèi)存集成電路(ICs)應(yīng)力測試的老化測試插座 (BiTS),可滿足測試期間嚴(yán)苛的性能要求。隨著DDR集成電路引腳數(shù)量增加、測試溫度上升、尺寸不斷縮小,BiTS組件對于材料的性能要求也越來越高。SABIC的這款全新改性料具有極高的流動性,有助于實現(xiàn)復(fù)雜、小型化的BiTS設(shè)計;其出色的尺寸穩(wěn)定性和耐高溫性可在測試過程中提高BiTS的性能表現(xiàn);而其高導(dǎo)熱能力有助于測試后迅速散熱。





與導(dǎo)熱填充尼龍等現(xiàn)有材料相比,LNP KONDUIT 8TF36E改性料具有更高的流動性和更好的尺寸穩(wěn)定性,有望全方位滿足客戶對于材料性能的各種要求。

SABIC LNP和NORYL業(yè)務(wù)總監(jiān)趙藩籬(Joshua Chiaw)表示:“依賴高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)钠嚭驮朴嬎阆到y(tǒng)等非電腦和移動設(shè)備中的應(yīng)用日益廣泛,DDR內(nèi)存集成電路的需求穩(wěn)步增長。為了滿足對未來幾代DDR集成電路的測試需求,老化測試插座需要更高性能的新材料解決方案——SABIC正在努力填補(bǔ)這一空白。對高性能材料的持續(xù)研發(fā)也彰顯了我們對半導(dǎo)體行業(yè)的堅定承諾!

提高測試插座性能

DDR內(nèi)存集成電路能在每一個時鐘周期內(nèi)傳輸兩次數(shù)據(jù),顯著加快了數(shù)據(jù)傳輸速度,從而滿足游戲、人工智能等數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用的高通量需求。這項技術(shù)給測試插座制造商帶來了更大的挑戰(zhàn),要求其產(chǎn)品必須適應(yīng)更高的電壓和溫度環(huán)境、越來越小的外形尺寸和更多的引腳。因此,用于DDR 內(nèi)存集成電路的BiTS設(shè)計需要具有高精度、高耐久性和可操作性。

LNP KONDUIT 8TF36E改性料具有高流動性,有助于實現(xiàn)多引腳點的小型化和復(fù)雜設(shè)計。在測試過程中,它可以輕松承受150°C的典型測試溫度,同時保持良好的尺寸穩(wěn)定性,提高測試準(zhǔn)確性。這種耐高溫特性未來有望使BiTS在不進(jìn)行降解的情況下被重復(fù)利用。
此外,LNP KONDUIT 8TF36E改性料可以耐受高達(dá)260°C的極端高溫,為將來BiTS更高的溫度環(huán)境奠定基礎(chǔ)。為了實現(xiàn)測試后的快速散熱,這款新材料還具有高達(dá)4.5W/m.k的高熱導(dǎo)率。

SABIC的這款全新改性料可使用于BiTS組件中的鎖扣和適配器等固定結(jié)構(gòu)件。

SABIC亞太區(qū)配方與應(yīng)用總監(jiān)王勤(Jenny Wang)表示:“內(nèi)存芯片技術(shù)的進(jìn)步對BiTS提出了新的要求。隨著DDR內(nèi)存集成電路功率的增加,溫度控制對于驗證BiTS系統(tǒng)中所有器件在可靠性測試中,是否受到一致的應(yīng)力至關(guān)重要。我們的新型LNP KONDUIT材料實現(xiàn)了現(xiàn)有材料無法企及的性能表現(xiàn)——除了優(yōu)異的導(dǎo)熱性,它還提供了有助于測試成功的其他關(guān)鍵特性。”

全新LNP KONDUIT 8TF36E改性料目前已在全球上市。

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