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可減少50%引線電阻、提高30%電流的車用MOSFET系列(IR)

發(fā)布時間:2011-5-23 16:57    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 車用MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出采用新型 WideLead TO-262 封裝的車用 MOSFET 系列,與傳統(tǒng)的 TO-262封裝相比,可減少 50% 引線電阻,并提高 30% 電流。

這款新型車用 MOSFET 系列適合需要低導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 的通用大負(fù)荷/高功率通孔應(yīng)用,內(nèi)燃機 (ICE) 汽車電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)和電池開關(guān),以及各類微型和全混合動力汽車。新器件采用 IR 先進的硅和封裝技術(shù),在顯著提高性能的同時可與現(xiàn)有的設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)相匹配。



在標(biāo)準(zhǔn) TO-262 通孔封裝中,除了 MOSFET 導(dǎo)通電阻,源極和漏極引線電阻可增至1mΩ。新 WideLead TO-262 通孔封裝可將引線電阻降至不到 0.5 mΩ,大大減少了引線中的傳導(dǎo)損耗和熱量,在特定的工作溫度下,比傳統(tǒng)的 TO-262 封裝的電流承載能力高30%。根據(jù)評估,在直流電為 40A 和 60A 的條件下,WideLead 引線溫度比標(biāo)準(zhǔn) TO-262分別低 30% 和 39%。此外,隨著其它封裝技術(shù)的提高,WideLead 比標(biāo)準(zhǔn) TO-262 封裝中的同等 MOSFET 少傳輸 20% 導(dǎo)通電阻。

所有 IR 車用 MOSFET 產(chǎn)品都遵循 IR 要求零缺陷的汽車質(zhì)量理念,并經(jīng)過了動態(tài)和靜態(tài)器件平均測試及 100% 自動晶圓級目視檢查。

新器件符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),是在IR要求零缺陷的汽車質(zhì)量理念下研制而成的。它環(huán)保、無鉛,也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。

產(chǎn)品規(guī)格
  器件編號
  封裝
  V(BR)DSS (V)
  10VGS時的
  最大導(dǎo)通電阻()
  TC 25°C時的ID最大值 (A)
  10VGS 時的
  QG 典型值(nC)
  AUIRF1324WL
  TO-262WL
  24
  1.3
  240
  120
  AUIRF3004WL
  TO-262WL
  40
  1.4
  240
  160

有關(guān)產(chǎn)品現(xiàn)已接受批量訂單。相關(guān)產(chǎn)品資料、應(yīng)用說明和認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)請訪問 IR 網(wǎng)站 www.irf.com ,F(xiàn)有 Spice 模型供申請。
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