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SI24R2E升級版SI24R2H內(nèi)置125K低頻喚醒2.4G單發(fā)芯片

發(fā)布時間:2020-7-17 15:52    發(fā)布者:13682622419

據(jù)以上抬頭所述,相信大家都對這款有源RFID首款內(nèi)置125KHz的這芯片很感興趣,但是今天在介紹這款芯片前,需要大家先屬于我司前兩代的SI24R2E/SI24R2F芯片,因為SI24R2H是在原有的產(chǎn)品上做迭代升級而來

更新情況:
1.Si24R2H在Si24R2F的基礎上增加了Si3933的125KHz低頻喚醒功能。
2.燒錄與Si24R2E一樣,都是通過上位機直接配置,無需編程。
3.Si24R2H可以外接NTC熱敏電阻采集溫度,偏差值±0.5℃。
4.最大發(fā)射功率12dBm,睡眠電流300nA(2.4G部分)
5.小尺寸 5*5 QFN32封裝
SI24R2H功能簡述:
· 工作在 2.45GHz ISM 頻段
· 內(nèi)置 多次可編程 NVM 存儲器
· 具有超低功耗自動發(fā)射功能
· 自動發(fā)射模式下,支持 多個不同信道發(fā)射
· 支持發(fā)射數(shù)據(jù)加密
· 支持按鍵發(fā)射功能
· 具有低電壓自動報警功能
· 集成溫度監(jiān)測和報警功能
· 具有防拆卸報警功能
· 集成防沖突通信機制
· 3.3V 編程電壓
· 調(diào)制方式:GFSK
· 數(shù)據(jù)速率:2Mbps/1Mbps/250Kbps
· 超低關斷電流:400nA
· 超低待機電流:22uA
· 快速啟動時間: ≤ 130uS
· 寬電源電壓范圍:1.9-3.6V
· 寬數(shù)字 I/O 電壓范圍:1.9-5.25V
· 低成本晶振:16MHz±60ppm
· 最高發(fā)射功率:12dBm
· 發(fā)射電流: 16.8mA(0dBm)
· 最高 10MHz 四線 SPI 接口· 發(fā)射數(shù)據(jù)硬件中斷輸出
· QFN32封裝
· 替換 Si24R1/Si24R2/Si24R2E 發(fā)射功能
對有源RFID學校領域局勢有著重大的突破性的作用,有想進一步了解的可進一步聯(lián)系博主
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