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以太網(wǎng)供電技術(shù)再升級,最大供電能力達(dá)90W

發(fā)布時間:2020-2-26 17:34    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 以太網(wǎng)供電 , 90W
隨著以太網(wǎng)供電 (PoE) 技術(shù)的發(fā)展,它已成長為一個全球市場,預(yù)計到2025年市值將超過30億美元,是目前的三倍多,是2015年的八倍。不過即便如此樂觀的估計也可能偏保守,因為分析師每年都在提高他們的預(yù)測值,而且個中原因也不難理解。IEEE 802.3 PoE標(biāo)準(zhǔn)終于實現(xiàn)了在單根5e類 (CAT 5e) 電纜上傳輸約90W功率的能力。隨著世界上越來越多的城市逐漸互聯(lián),這項能力可謂是應(yīng)運(yùn)而生。

當(dāng)IEEE 802.3af PoE標(biāo)準(zhǔn)在2003年首次出現(xiàn)時,它在350mA電流下只能將13W功率傳輸100米的距離,不過這在當(dāng)時已經(jīng)令人印象深刻了,因為它可以為一些網(wǎng)絡(luò)電話 (VoIP) 系統(tǒng)、閉路電視攝像頭、射頻識別 (RFID) 讀卡器和其他低功耗系統(tǒng)供電。不過,13W傳輸能力還不足以支持視頻會議、Wi-Fi路由器、平移傾斜變焦或加熱攝像頭等應(yīng)用。 2009年發(fā)布的IEEE 802.3at標(biāo)準(zhǔn)在600mA時將直流功率提升到了25.5W(非標(biāo)準(zhǔn)版本除外)。直流功率的提高使得Analog Devices 等制造商能夠改進(jìn)其PoE架構(gòu)。Analog Devices專有的Linear Technology以太網(wǎng)供電 (LTPoE)++架構(gòu)(圖1)提供90W的最大供電能力,向后兼容802.3af,并提供其他功能。


圖1:LTPoE++架構(gòu)采用簡化的方法,能在PD端提供90W功率。(資料來源:Analog Devices)

到了2018年9月27日,IEEE宣布PoE標(biāo)準(zhǔn)802.3bt最終確定,將最大傳輸功率提升到了90W。IEEE 802.3bt PoE標(biāo)準(zhǔn)實現(xiàn)了巨大的飛躍,因為:

· 它顯著提高了功率處理能力

· 它增加了PoE的潛在應(yīng)用,因為幾乎所有類型的電子設(shè)備在過去幾年都變得更加高效

現(xiàn)在,在所有類型的建筑物中,絕大多數(shù)設(shè)備第一次可以將數(shù)據(jù)傳輸與直流以太網(wǎng)供電相結(jié)合,提高自身能效。在智能城市中,具有可調(diào)節(jié)和可監(jiān)控特性的LED燈具正在逐漸取代鈉蒸氣等光源。此外,由于以太網(wǎng)分布廣泛,因此PoE可以補(bǔ)充或取代目前正在安裝的照明控制無線解決方案。

基于802.3bt的應(yīng)用除了給終端用戶帶來好處之外,還為控制器、集成電路和其他以太網(wǎng)組件的制造商提供了大好機(jī)會,讓這些組件能支持更高的功率水平。例如, Analog Devices的LT4295受電設(shè)備 (PD) 接口可支持高達(dá)71W的功率,端到端效率大于94%。在供電設(shè)備 (PSE) 側(cè),Texas Instruments (TI) TPS23880 (圖2)是一款PSE控制器,用于檢測功率為90W的受電設(shè)備。該器件包含可編程標(biāo)準(zhǔn)隨機(jī)存取存儲器 (SRAM),可通過內(nèi)部集成電路 (I2C) 進(jìn)行升級。


圖2: TPS23880八通道PSE控制器包含用于現(xiàn)場固件更新的可編程SRAM。(資料來源:Texas Instruments)

未來趨勢如何?

電子元件制造商和最終用戶完全接受802.3bt可能需要幾年的時間,因此基于標(biāo)準(zhǔn)的進(jìn)一步增強(qiáng)可能要在數(shù)年之后。同時,其他替代解決方案也在使用PoE作為獨(dú)立系統(tǒng)為通常消耗150W功率的小電池供電。其他非標(biāo)準(zhǔn)的專有方法也可能出現(xiàn),進(jìn)一步擴(kuò)展功率處理能力,這些方法在兼容標(biāo)準(zhǔn)的環(huán)境中可能可用,也可能不可用。


文章來源:貿(mào)澤電子

作者簡介:Barry Manz是Manz Communications, Inc.(曼茲通信公司)的總裁,該公司是他于1987年創(chuàng)立的技術(shù)媒體關(guān)系機(jī)構(gòu)。他曾與100多家公司在射頻、微波、國防、測試和測量、半導(dǎo)體、嵌入式系統(tǒng)、光波及其它市場進(jìn)行過合作。Barry曾為多家線下和線上貿(mào)易刊物撰寫過文章,亦撰寫過各種白皮書、應(yīng)用筆記、研討會論文、技術(shù)參考指南和網(wǎng)頁內(nèi)容。他是Journal of Electronic Defense雜志的特約編輯、Military Microwave Digest雜志的編輯、MilCOTS Digest雜志的共同創(chuàng)辦人,也是Microwaves & RF雜志的主編。
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