|
1. MOS管工作原理--MOS管簡介 MOS管，即在集成電路中絕緣性場效應(yīng)管。MOS英文全稱為Metal-Oxide-Semiconductor即金屬-氧化物-半導(dǎo)體，確切的說，這個名字描述了集成電路中MOS管的結(jié)構(gòu)，即：在一定結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件上，加上二氧化硅和金屬，形成柵極。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能,這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。 2. MOS管工作原理--Mos管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn) MOS管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖所示;其導(dǎo)通時(shí)只有一種極性的載流子(多子)參與導(dǎo)電，是單極型晶體管。導(dǎo)電機(jī)理與小功率MOS管相同，但結(jié)構(gòu)上有較大區(qū)別，小功率MOS管是橫向?qū)щ娖骷�，功�?a href="http://m.54549.cn/keyword/MOSFET" target="_blank" class="relatedlink">MOSFET大都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，又稱為VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力。 其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻，該管導(dǎo)通時(shí)在兩個高濃度n擴(kuò)散區(qū)間形成n型導(dǎo)電溝道。n溝道增強(qiáng)型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓，且只有柵源電壓大于閾值電壓時(shí)才有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。n溝道耗盡型MOS管是指在不加?xùn)艍?柵源電壓為零)時(shí)，就有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。 3. MOS管工作原理--MOS管的特性 3.1MOS管的輸入、輸出特性 對于共源極接法的電路，源極和襯底之間被二氧化硅絕緣層隔離，所以柵極電流為0。 4. MOS管工作原理 MOS管的工作原理(以N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管)它是利用VGS來控制“感應(yīng)電荷”的多少，以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況，然后達(dá)到控制漏極電流的目的。在制造管子時(shí)，通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷，這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通，形成了導(dǎo)電溝道，即使在VGS=0時(shí)也有較大的漏極電流ID。當(dāng)柵極電壓改變時(shí)，溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變，導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。 MOS管的分類 按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種;按導(dǎo)電方式：MOS管又分耗盡型與增強(qiáng)型，所以MOS場效應(yīng)晶體管分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型  溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類：N溝道消耗型、N溝道增強(qiáng)型、P溝道消耗型、 P溝道增強(qiáng)型。MOS管應(yīng)用 MOS管最顯著的特性是開關(guān)特性好，所以被廣泛應(yīng)用在需要電子開關(guān)的電路中，常見的如開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動，也有照明調(diào)光。而且由MOS管構(gòu)成的CMOS傳感器為相機(jī)提供了越來越高的畫質(zhì)，成就了更多的“攝影家”。 MOS管工作原理—參考資料 1、MOS管的開關(guān)損耗-反激式分析 描述：利用反激式分析MOS管的開關(guān)損耗 2、MOSFET的工作原理 描述：功率MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作原理 3、MOS、三極管用作開關(guān)時(shí)的區(qū)別聯(lián)系 描述：MOS管、三極管用作開關(guān)時(shí)的區(qū)別聯(lián)系 BSC080P03LS-G www.dzsc.com/ic-detail/9_10401.html的參數(shù) 制造商零件編號：BSC080P03LS G 制造商：Infineon Technologies 描述：MOSFET P-CH 30V 30A TDSON-8 系列：OptiMOS FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能：邏輯電平門 漏源極電壓 (Vdss)：30V 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：16A（Ta），30A（Tc）不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：8 毫歐 @ 30A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：122.4nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：6140pF @ 15V功率 - 最大值：89W安裝類型：表面貼裝封裝/外殼：8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15） 制造商: Infineon 產(chǎn)品種類: MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: TDSON-8 通道數(shù)量: 1 Channel 晶體管極性: P-Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V Id-連續(xù)漏極電流: 16 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 8 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓: 25 V 最小工作溫度: - 55 C 最大工作溫度: + 150 C Pd-功率耗散: 2.5 W 配置: Single 通道模式: Enhancement 商標(biāo)名: OptiMOS 封裝: Cut Tape 封裝: MouseReel 封裝: Reel 高度: 1.27 mm 長度: 5.9 mm 系列: OptiMOS P 晶體管類型: 1 P-Channel 寬度: 5.15 mm 商標(biāo): Infineon Technologies 下降時(shí)間: 108 ns 濕度敏感性: Yes 產(chǎn)品類型: MOSFET 上升時(shí)間: 87 ns 工廠包裝數(shù)量: 5000 子類別: MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 79 ns 典型接通延遲時(shí)間: 13.5 ns |
