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對(duì)NVM區(qū)的合理使用

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樓主
發(fā)表于 2019-7-25 09:42:22 | 只看該作者 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
關(guān)鍵詞: 加密芯片 , NVM區(qū)
凌科芯安多款加密芯片均設(shè)置了NVM區(qū),因其具備掉電不擦除的物理特性和防暴力破解等安全特性,眾多用戶(hù)會(huì)利用NVM區(qū)存儲(chǔ)重要數(shù)據(jù)。雖然使用方法簡(jiǎn)單,但有一點(diǎn)技術(shù)細(xì)節(jié)容易被忽視。NVM區(qū)有10萬(wàn)次擦寫(xiě)壽命或10年存儲(chǔ)壽命,因此用戶(hù)使用時(shí)要結(jié)合自己項(xiàng)目的應(yīng)用場(chǎng)景和業(yè)務(wù)邏輯進(jìn)行合理分配,達(dá)到高效使用NVM區(qū),下面展開(kāi)說(shuō)明。
問(wèn)題一:更新數(shù)據(jù)邏輯不合理
NVM區(qū)的寫(xiě)操作是按頁(yè)實(shí)現(xiàn)的,應(yīng)多以頁(yè)為單位進(jìn)行寫(xiě)操作。舉例:有些用戶(hù)將多組數(shù)據(jù)存儲(chǔ)于同一NVM頁(yè)內(nèi),但每更改其中一組數(shù)據(jù)時(shí),就對(duì)該頁(yè)執(zhí)行了一次寫(xiě)操作,這其實(shí)是不提倡的。正確的做法是,盡量將該頁(yè)內(nèi)的多組數(shù)據(jù)統(tǒng)一更新,這樣能有效減少扇區(qū)擦寫(xiě)次數(shù),延長(zhǎng)NVM區(qū)壽命。
問(wèn)題二:NVM區(qū)地址劃分使用不合理
同樣因?yàn)榘错?yè)操作的原因,用戶(hù)應(yīng)將不同數(shù)據(jù)分組按頁(yè)對(duì)齊,避免數(shù)據(jù)跨頁(yè)存儲(chǔ)的情況發(fā)生。舉例:有些用戶(hù)將一組連續(xù)數(shù)據(jù)放在了兩頁(yè)地址交界處,當(dāng)對(duì)該組數(shù)據(jù)進(jìn)行更新寫(xiě)操作時(shí),實(shí)際就對(duì)兩頁(yè)數(shù)據(jù)同時(shí)實(shí)行了寫(xiě)操作,即使只寫(xiě)了2字節(jié)數(shù)據(jù),也會(huì)造成1024字節(jié)區(qū)域(假設(shè)目標(biāo)加密芯片的NVM扇區(qū)大小是512字節(jié))的寫(xiě)壽命減少,這種操作是不提倡的。
問(wèn)題三:NVM區(qū)未做安全防護(hù)引起數(shù)據(jù)丟失
NVM區(qū)的寫(xiě)操作是由三步完成的,第一步讀取目標(biāo)扇區(qū)內(nèi)原數(shù)據(jù),第二步擦除目標(biāo)扇區(qū)內(nèi)數(shù)據(jù),第三步將修改后的新數(shù)據(jù)和未做修改的原數(shù)據(jù)寫(xiě)回目標(biāo)扇區(qū)。因此當(dāng)意外斷電等情況發(fā)生時(shí),加密芯片恰好執(zhí)行完寫(xiě)NVM區(qū)的第二步操作,且未完成寫(xiě)NVM區(qū)的第三步操作,就會(huì)造成目標(biāo)區(qū)域內(nèi)數(shù)據(jù)發(fā)生無(wú)規(guī)律錯(cuò)亂。當(dāng)然也有解決辦法,下期分解。
沙發(fā)
發(fā)表于 2019-7-26 15:32:19 | 只看該作者
LKT產(chǎn)品的NVM區(qū)存儲(chǔ)空間是多大?
板凳
發(fā)表于 2019-7-26 17:12:19 | 只看該作者
4k、16K的都有吧,具體看型號(hào)
地板
發(fā)表于 2019-7-26 17:20:40 | 只看該作者
4k、16K的都有吧,具體看型號(hào)
地下室
發(fā)表于 2019-7-26 18:43:33 | 只看該作者
可以介紹一下相關(guān)的型號(hào)嗎?
6
發(fā)表于 2019-7-26 21:26:35 | 只看該作者
同問(wèn),樓主推薦一款內(nèi)部設(shè)置了NVM的加密芯片唄
7
發(fā)表于 2019-7-27 09:19:16 | 只看該作者
型號(hào)很多,幾乎每個(gè)產(chǎn)品都有nvm區(qū),具體你咨詢(xún)一下吧
8
發(fā)表于 2019-7-28 09:54:04 | 只看該作者
Nvm就是鐵電吧?怎么做到按頁(yè)寫(xiě)?有實(shí)例嗎?
9
發(fā)表于 2019-7-28 10:47:38 | 只看該作者
這個(gè)NVM應(yīng)該跟FLASH類(lèi)似吧,按頁(yè)寫(xiě),應(yīng)該是一次寫(xiě)入256字節(jié)或者512字節(jié)吧
10
發(fā)表于 2019-7-28 10:48:10 | 只看該作者

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發(fā)表于 2019-7-28 15:05:52 | 只看該作者
期待樓主下期文章的更新
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 樓主| 發(fā)表于 2019-7-29 09:03:04 | 只看該作者
內(nèi)部帶NVM的MCU芯片,在程序執(zhí)行中通常會(huì)根據(jù)條件判斷去執(zhí)行讀寫(xiě)NVM單元的操作,特別是寫(xiě)NVM單元的操作,要注意。否則很容易造成誤寫(xiě)NVM單元或者寫(xiě)入NVM單元的值錯(cuò)誤,造成系統(tǒng)運(yùn)行異常。
13
發(fā)表于 2019-7-29 09:21:24 | 只看該作者
上面說(shuō)的沒(méi)錯(cuò)。但是讀寫(xiě)NVM的操作一般會(huì)被寫(xiě)到芯片固件內(nèi)部,以提供api的形式供開(kāi)發(fā)者使用,所以NVM讀寫(xiě)的穩(wěn)定性和安全性還是有保證的。
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發(fā)表于 2019-7-29 14:49:43 | 只看該作者
樓主家的多款加密芯片內(nèi)部設(shè)置了NVM去,其特點(diǎn)是掉電不擦除,利用NVM區(qū)存儲(chǔ)重要數(shù)據(jù),那又如何確保能在芯片內(nèi)部安全運(yùn)行的呢?
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發(fā)表于 2019-7-29 14:52:51 | 只看該作者
啥在芯片安全運(yùn)行?NVM區(qū)數(shù)據(jù)?只要不對(duì)外開(kāi)放讀寫(xiě)接口,內(nèi)部運(yùn)行肯定安全。若說(shuō)是其他的安全,那具體看你的算法設(shè)計(jì)了。
16
發(fā)表于 2019-7-29 22:33:15 | 只看該作者
本文中介紹nvm區(qū)如何更好的使用其擦除次數(shù),那么nvm對(duì)比其他有什么優(yōu)勢(shì)呢?
17
發(fā)表于 2019-7-30 11:00:11 | 只看該作者
具有擴(kuò)展性好、靜態(tài)能耗低以及非易失性等優(yōu)勢(shì)
18
發(fā)表于 2019-7-30 11:23:14 | 只看該作者
寫(xiě)操作中途斷電還確實(shí)麻煩,很想知道如何解決,期待樓主下期文章
19
發(fā)表于 2019-7-30 13:31:46 | 只看該作者
MCU的軟件開(kāi)發(fā)工具鏈默認(rèn)都是在下載調(diào)試過(guò)程中,將全部MCU的NVM存儲(chǔ)器擦除重新編程的,怎么操作才不會(huì)讓它在下載調(diào)試的時(shí)候不用重新編程呢?
20
發(fā)表于 2019-7-30 13:35:31 | 只看該作者
MCU的軟件開(kāi)發(fā)工具鏈默認(rèn)都是在下載調(diào)試過(guò)程中,將全部MCU的NVM存儲(chǔ)器擦除重新編程的,怎么操作才不會(huì)讓它在下載調(diào)試的時(shí)候不用重新編程呢?

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