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肖特基勢壘是指具有整流特性的金屬-半導(dǎo)體接觸，就如同二極管具有整流特性。是金屬-半導(dǎo)體邊界上形成的具有整流作用的區(qū)域。 IC網(wǎng) http://www.ic37.com/ 肖特基勢壘指具有大的勢壘高度（也就是ΦBn 或者 ΦBp >> kT）,以及摻雜濃度比導(dǎo)帶或價帶上態(tài)密度低的金屬-半導(dǎo)體接觸（施敏, 半導(dǎo)體器件物理與工藝, 第二版, 7.1.2）。 肖特基勢壘是指具有整流特性的金屬-半導(dǎo)體接觸，就如同二極管具有整流特性。是金屬-半導(dǎo)體邊界上形成的具有整流作用的區(qū)域。 金屬與n型半導(dǎo)體形成的肖特基勢壘如圖1所示。金屬—半導(dǎo)體作為一個整體在熱平衡時有同樣費米能級。肖特基勢壘相較于PN界面最大的區(qū)別在于具有較低的界面電壓，以及在金屬端具有相當(dāng)薄的(幾乎不存在)空乏區(qū)寬度。由半導(dǎo)體到金屬，電子需要克服勢壘；而由金屬向半導(dǎo)體，電子受勢壘阻擋。在加正向偏置時半導(dǎo)體一側(cè)的勢壘下降；相反，在加反向偏置時，半導(dǎo)體一側(cè)勢壘增高。使得金屬-半導(dǎo)體接觸具有整流作用(但不是一切金屬—半導(dǎo)體接觸均如此）。如果對于N型半導(dǎo)體,金屬的功函數(shù)大于半導(dǎo)體的功函數(shù)，對于P型半導(dǎo)體，金屬的功函數(shù)小于半導(dǎo)體的功函數(shù)，以及半導(dǎo)體雜質(zhì)濃度不小于10^19/立方厘米數(shù)量級時會出現(xiàn)歐姆接觸，它會因雜質(zhì)濃度高而發(fā)生隧道效應(yīng)，以致勢壘不起整流作用。并非所有的金屬-半導(dǎo)體接面都是具有整流特性的，不具有整流特性的金屬-半導(dǎo)體接面則稱為歐姆接觸。整流屬性決定于金屬的功函、固有半導(dǎo)體的能隙，以及半導(dǎo)體的摻雜類型及濃度。在設(shè)計半導(dǎo)體器件時需要對肖特基效應(yīng)相當(dāng)熟悉，以確保不會在需要歐姆接觸的地方意外地產(chǎn)生肖特基勢壘。當(dāng)半導(dǎo)體均勻摻雜時肖特基勢壘的空間電荷層寬度和單邊突變P-N結(jié)的耗盡層寬度相一致。 優(yōu)點 由于肖特基勢壘具有較低的界面電壓，可被應(yīng)用在某器件需要近似于一個理想二極管的地方。在電路設(shè)計中，它們也同時與一般的二極管及晶體管一起使用, 其主要的功能是利用其較低的界面電壓來保護(hù)電路上的其它器件。 然而，自始至終肖特基器件相較于其它半導(dǎo)體器件來說能被應(yīng)用的領(lǐng)域并不廣。 器件 肖特基二極管，肖特基勢壘自身作為器件即為肖特基二極管。 肖特基勢壘碳納米管場效應(yīng)晶體管FET：金屬和碳納米管之間的接觸并不理想所以層錯導(dǎo)致肖特基勢壘，所以我們可以使用這一勢壘來制作肖特基二極管或者晶體管等等。 肖特基勢壘二極管B0530WS-7-F http://www.dzsc.com/ic-detail/9_2528.html的參數(shù)肖特基勢壘二極管，300mA 至 1A，Diodes Inc超勢壘整流器 (SBR) 二極管是下一代整流器。 與類似肖特基二極管相比，該兩端子設(shè)備具有較低的正向電壓 (VF)。 同時具有 PN 外延二極管的熱穩(wěn)定性和高可靠性特征。 二極管和整流器，Diodes Inc 二極管配置單路 大連續(xù)正向電流500mA 每片芯片元件數(shù)目1 峰值反向重復(fù)電壓30V 安裝類型表面貼裝 封裝類型SOD-323 二極管類型肖特基 引腳數(shù)目2 大正向電壓降450mV 長度1.8mm 寬度1.4mm 高度1.1mm 高工作溫度+125 °C 峰值反向電流500?A 尺寸1.8 x 1.4 x 1.1mm 峰值非重復(fù)正向浪涌電流2A 工作溫度-40 °C |
