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以高速順序?qū)懭胨俣群透呷萘績(jī)?yōu)化用戶5G時(shí)代移動(dòng)新體驗(yàn) 西部數(shù)據(jù)公司發(fā)布新款嵌入式閃存盤，旨在從速度和容量方面更好地優(yōu)化超高端智能手機(jī)及移動(dòng)設(shè)備的功能，豐富5G時(shí)代環(huán)境下智能手機(jī)用戶的移動(dòng)體驗(yàn)。iNAND MC EU511采用公司先進(jìn)的96層3D NAND技術(shù)，支持UFS 3.0 Gear 4/2 Lane規(guī)范。性能優(yōu)越的第6代iNAND SmartSLC技術(shù)可實(shí)現(xiàn)高達(dá)750MB/s*的高速順序?qū)懭胄阅�，僅需3.6秒就可下載一部長(zhǎng)達(dá)2小時(shí)的電影 。 
< 西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU511 嵌入式閃存盤 > 5G的標(biāo)準(zhǔn)模式可為所有的移動(dòng)和終端設(shè)備帶來(lái)快傳輸、低延遲、低功耗和高網(wǎng)絡(luò)容量等優(yōu)勢(shì)。 實(shí)現(xiàn)這些功能需要高速數(shù)據(jù)接口，如UFS 3.0，不僅可以改造智能手機(jī)，還可以改造數(shù)十億互聯(lián)物聯(lián)網(wǎng)( IoT )設(shè)備。 西部數(shù)據(jù)公司Devices事業(yè)部高級(jí)總監(jiān)Oded Sagee表示：“智能手機(jī)正在日益成為萬(wàn)物互聯(lián)的中心。高速5G網(wǎng)絡(luò)旨在實(shí)現(xiàn)比之前快100倍的數(shù)據(jù)傳輸速度，并在更多的設(shè)備上部署人工智能(AI)。人工智能（AI）由集成式神經(jīng)處理單元(NPU)所驅(qū)動(dòng)，允許我們?cè)L問大數(shù)據(jù)和快速數(shù)據(jù)，這將改變我們使用智能手機(jī)的方式。面對(duì)實(shí)時(shí)邊緣計(jì)算的高需求，嚴(yán)格的數(shù)據(jù)捕獲標(biāo)準(zhǔn)和訪問模式將成為5G設(shè)備必須滿足的基本條件。有了UFS 3.0嵌入式閃存盤，西部數(shù)據(jù)可以讓用戶按需、無(wú)縫、即時(shí)地體驗(yàn)5G應(yīng)用的新威力�！� 5G移動(dòng)設(shè)備可以借由UFS 3.0閃存接口，為增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)、虛擬現(xiàn)實(shí)(VR)和移動(dòng)游戲等應(yīng)用提供更高的性能和更低的延遲。此外，快速的網(wǎng)絡(luò)將使消費(fèi)者能夠在移動(dòng)設(shè)備上快速下載和查看超高分辨率照片和4K/ 8K媒體資源。 通過iNAND MC EU511 嵌入式閃存盤為構(gòu)建5G設(shè)備做好準(zhǔn)備 iNAND MC EU511嵌入式閃存盤憑借快于上一代產(chǎn)品接近兩倍的順序讀性能以及高達(dá)750MB/s的高速順序?qū)懭胄阅芏I(lǐng)先于業(yè)界。隨著隨機(jī)讀/寫性能的提高以及容量從64GB到512GB的提升，iNAND MC EU511嵌入式閃存盤已為即將到來(lái)的5G革命做好了準(zhǔn)備。目前西部數(shù)據(jù)公司正在與各OEM合作，送樣測(cè)試iNAND MC EU511 嵌入式閃存盤解決方案。欲了解有關(guān)更多相關(guān)信息，請(qǐng)?jiān)L問：Western Digital。 |
