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【導(dǎo)讀】村田WLSC系列產(chǎn)品（100μm厚）適用于無線通信（例如5G）、雷達(dá)、數(shù)據(jù)播放系統(tǒng)之類的RF大功率用途。WLSC電容器適用于DC去耦、匹配電路、高次諧波／噪聲濾除功能等。 依靠村田＊的半導(dǎo)體（硅）技術(shù)開發(fā)的獨(dú)特的集成無源器件和設(shè)備（Integrated Passive Devices），可以解決此類需要高可靠性的用途的各種問題。利用半導(dǎo)體工藝，開發(fā)極深溝槽結(jié)構(gòu)的硅電容器，靜電容量密度高達(dá)6nF/mm2 to 250nF/mm2（支持的擊穿電壓為150V to 11V）。本公司的半導(dǎo)體（硅）技術(shù)，依靠可以生成超過900℃的高溫退火的高純度氧化膜，完全控制的生產(chǎn)工藝，與其他的電容器技術(shù)相比，可靠性最高達(dá)到后者的10倍。依靠這項技術(shù)，使DC電壓與整個工作溫度范圍的靜電容量的穩(wěn)定性極為優(yōu)秀。并且，因為硅在本質(zhì)上電介質(zhì)吸收很小，壓電效應(yīng)也很小，或者幾乎沒有，所以也沒有存儲效應(yīng)。以硅為基礎(chǔ)的技術(shù)符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。 * Murata Integrated Passive Solutions S.A.（舊IPDiA） 
特點(diǎn) 100μm的極薄型 低漏電流 高穩(wěn)定性（溫度、電壓） 老化后靜電容量也極少下降。 支持標(biāo)準(zhǔn)的引線鍵合封裝（球和楔） 用途 雷達(dá)、基礎(chǔ)設(shè)施無線通信、數(shù)據(jù)播放等要求嚴(yán)格的所有用途 焊盤完全平坦，因此標(biāo)準(zhǔn)的引線鍵合（在上下面鍍金）比MLCC容易 去耦、DC噪聲、高次諧波濾除、匹配電路（例如GaN功率放大器、LDMOS） 高可靠性用途 要求小型化和薄型的用途（100μm） 與單層陶瓷電容器、金屬氧化膜半導(dǎo)體完全兼容 WLSC系列規(guī)格
(*) 也能根據(jù)客戶要求提供其他的規(guī)格值 (*2) 包裝材料除外 (*3) 引線鍵合、嵌入 系列一覽
關(guān)于其他的規(guī)格值，請向本公司銷售人員咨詢。詳見下方鏈接： AO-Electronics 傲壹電子 官網(wǎng)：www.aoelectronics.com 中文網(wǎng)：www.aoelectronics.cn
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