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Synopsys為TSMC 22nm ULP/ULL工藝提供DesignWare基礎(chǔ)IP

發(fā)布時間:2018-5-11 10:32    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: DesignWare , 22nm , ULP
Synopsys近日宣布與TSMC合作,共同為TSMC 22nm超低功耗(ULP)與22nm超低漏電(ULL)平臺開發(fā)DesignWare 基礎(chǔ)IP。該基礎(chǔ)IP包含用于TSMC 22nm工藝的邏輯庫、嵌入式內(nèi)存以及一次性可編程(one-time programmable,OTP)非揮發(fā)性內(nèi)存(non-volatile memories,NVM),能協(xié)助設(shè)計人員大幅降低功耗,同時滿足各式應用的性能需求。DesignWare Duet Package包括了具備面積優(yōu)化的高速低功耗嵌入式內(nèi)存、使用標準核心氧化物(core oxide)或厚IO 氧化物以實現(xiàn)低漏電率的邏輯庫、內(nèi)存測試與修復能力以及功耗優(yōu)化套件,能為SoC帶來最佳的結(jié)果質(zhì)量。

DesignWare HPC設(shè)計套件內(nèi)容包括高速、高密度的內(nèi)存實例(memory instance)和邏輯單元,能協(xié)助SoC設(shè)計人員進行CPU、GPU與DSP核心的優(yōu)化,以達到速度、面積與功耗的最佳平衡。用于TSMC 22nm ULP與22nm ULL工藝的DesignWare OTP NVM IP無須額外的光罩層數(shù)或制程步驟,且能以最少的硅足跡(footprint)達到高產(chǎn)出、高安全性及高可靠性。

TSMC設(shè)計基礎(chǔ)架構(gòu)營銷事業(yè)部資深處長Suk Lee表示:“TSMC與Synopsys多年成功的合作經(jīng)驗有助于雙方客戶實現(xiàn)SoC在性能、功耗及芯片面積的目標。通過為TSMC 22nm ULP與22nm ULL工藝提供DesignWare 基礎(chǔ)IP,Synopsys作為業(yè)界領(lǐng)導廠商,持續(xù)提供通過驗證的IP解決方案,協(xié)助設(shè)計人員減少設(shè)計工作量,同時在TSMC最新技術(shù)中實現(xiàn)設(shè)計目標!

Synopsys營銷副總裁John Koeter也表示:“Synopsys與TSMC密切合作已歷經(jīng)了多個TSMC工藝時代。我們所提供的高質(zhì)量基礎(chǔ)IP能協(xié)助設(shè)計人員滿足SoC在功耗、性能與面積的需求。為TSMC 22nm ULP 與22nm ULL工藝提供DesignWare邏輯庫與嵌入式內(nèi)存IP,能協(xié)助設(shè)計人員大幅降低目標應用的功耗,并加快產(chǎn)品的上市腳步。

上市情況

針對TSMC 22nm ULP 與22nm ULL工藝的DesignWare Duet Package與HPC設(shè)計套件預計于今年第三季度上市。用于22nm ULP工藝的DesignWare OTP NVM IP預計于今年第三季度上市,而用于22nm ULL工藝的OTP NVM IP則計劃在明年第一季度上市。
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