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30 V、高密度N溝道溝槽MOSFET (安森美)

發(fā)布時(shí)間:2009-10-29 11:56    發(fā)布者:嵌入式公社
關(guān)鍵詞: MOSFET , 安森 , 高密度 , 溝槽
安森美半導(dǎo)體推出24款新的30伏(V)、N溝道溝槽(Trench)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。這些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ8FL及SOIC-8封裝, 為計(jì)算機(jī)和游戲機(jī)應(yīng)用中的同步降壓轉(zhuǎn)換器提供更高的開關(guān)性能。



新系列的MOSFET利用安森美半導(dǎo)體獲市場驗(yàn)證的溝槽技術(shù),提供優(yōu)異的導(dǎo)通阻抗[RDS(on)]及更高的開關(guān)性能,用于個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)、服務(wù)器、游戲機(jī)、處理器穩(wěn)壓電源(VRM)及負(fù)載點(diǎn)(POL)應(yīng)用中的同步直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器。直接替代NTD48x、NTMFS48x及NTMS48x系列的DPAK、SO-8FL及SOIC-8封裝方案,以及新的µ8FL 3.3 mm x 3.3 mm封裝方案,就其封裝尺寸而言,提供業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通阻抗。

安森美半導(dǎo)體的新MOSFET采用先進(jìn)的封裝系列,具有優(yōu)化的低門電荷及低導(dǎo)通阻抗,提升開關(guān)性能及系統(tǒng)總能效。所有器件均為無鉛、無鹵素器件,且符合RoHS指令。

器件及封裝
NTD49x系列32至79安培(A)器件包括NTD4904N、NTD4905N、NTD4906N、NTD4909N、NTD4910N及NTD4913N。這些器件采用6.7 mm x 10.4 mm DPAK封裝,每10,000片批量的預(yù)算單價(jià)為0.28至0.50美元。

NTMFS49x系列35至166 A器件包括NTMFS4935N、NTMFS4936N、NTMFS4937N、NTMFS4939N、NTMFS4941N、NTMFS4943N及NTMFS4945N。 NTMFS4933N將于2010年初之前推出。這些器件采用5 mm x 6 mm SO8FL封裝,每10,000片批量的預(yù)算單價(jià)為0.26至0.50美元。

NTTFS49x系列34至79 A器件包括NTTFS4932N、NTTFS4937N、NTTFS4939N、NTTFS4941N、NTTFS4943N及NTTFS4945N。這些器件采用3.3 mm x 3.3 mm µ8FL封裝,每10,000片批量的預(yù)算單價(jià)為0.30至0.60美元。

NTMS49x系列12.5至17 A器件包括NTMS4920N、NTMS4935N、NTMS4937N及NTMS4939N。這些器件采用5 mm x 6 mm SOIC-8封裝,每10,000片批量的預(yù)算單價(jià)為0.30至0.80美元。
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