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非易失性相變內(nèi)存(phase-change memory，PCM)已經(jīng)悄悄現(xiàn)身在手機(jī)產(chǎn)品中？根據(jù)工程顧問機(jī)構(gòu)UBM TechInsights的一份拆解分析報(bào)告，發(fā)現(xiàn)在某款神秘手機(jī)中，有一顆由三星電子(Samsung Electronics)出品的多芯片封裝(multi-chip package，MCP)內(nèi)存，內(nèi)含與NOR閃存兼容的非易失性相變內(nèi)存芯片。 TechInsights 拆解的手機(jī)產(chǎn)品，基于客戶機(jī)密不透露型號與廠牌；該機(jī)構(gòu)表示，要等到與客戶之間的工作告一段落，才能公布該手機(jī)到底是哪一款。三星曾于4月時(shí)透露，該公司將在第二季出貨一款內(nèi)含512Mbit非易失性相變內(nèi)存芯片的MCP；當(dāng)時(shí)三星并未透露該產(chǎn)品將采用哪種制程技術(shù)，僅表示該產(chǎn)品“相當(dāng)于40納米NOR閃存。” 業(yè)界認(rèn)為三星將采用65納米至60納米制程生產(chǎn)上述內(nèi)存；而拆解分析報(bào)告以顯微鏡所量測出的半間距(half-pitch)內(nèi)存長度(如下圖)，是每微米(micron)8個(gè)記憶單元(cell)，就證實(shí)了以上的猜測。 
三星512Mbit相變化RAM的橫切面 現(xiàn)在已經(jīng)被美光(Mciron)合并的恒憶(Numonyx)，在2008年發(fā)表了一款90納米制程128Mbit非易失性相變內(nèi)存，并在2010年4月以O(shè)mneo系列串行/并列存取內(nèi)存問世；但是到目前為止，該公司都未透露任何有關(guān)該產(chǎn)品的設(shè)計(jì)案或是量產(chǎn)計(jì)劃。此外恒憶也開發(fā)了一款45納米制程的1Gbit非易失性相變內(nèi)存，但這款原本預(yù)期今年上市的產(chǎn)品，迄今也未有后續(xù)消息。 UBM TechInsights已經(jīng)確認(rèn)，三星的512Mbit相變化RAM(PRAM)芯片，商標(biāo)號碼為KPS1N15EZA，與一顆128Mbit UtRAM芯片以MCP形式封裝在一起，并應(yīng)用于手機(jī)產(chǎn)品中。該款三星的PRAM芯片由4層鋁互連層與內(nèi)存元素所組成，頂部與底部的電極 (electrode contacts)是裝置在鋁金屬與硅基板之間。
內(nèi)含PCM的MCP內(nèi)存外觀 “最近業(yè)界對非易失性相變內(nèi)存技術(shù)的微縮極限有爭議，再加上恒憶的產(chǎn)品延遲量產(chǎn)，讓人質(zhì)疑PRAM是否真能接班成為新一代內(nèi)存；”UBM TechInsights資深顧問Young Choi表示：“對非易失性相變內(nèi)存已經(jīng)應(yīng)用在手機(jī)的發(fā)現(xiàn)，清楚表明了產(chǎn)品設(shè)計(jì)工程師已經(jīng)開始使用這種具潛力的技術(shù)。”
包含非易失性相變內(nèi)存MCP的手機(jī)主板拆解圖 |
