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ST首批整合其高性能8位架構(gòu)和超低功耗創(chuàng)新技術(shù)的8位微控制器開始量產(chǎn)。以節(jié)省運行和待機功耗為特色，STM8L系列下設(shè)三個產(chǎn)品線，共計26款產(chǎn)品，涵蓋多種高性能和多功能應(yīng)用。 這三條STM8L產(chǎn)品線都基于意法半導體的超低功耗技術(shù)平臺，這個平臺采用意法半導體獨有的超低泄漏電流優(yōu)化的130nm制程。獨一無二的技術(shù)優(yōu)勢包括在 1.65V到3.6V的整個電源電壓范圍內(nèi)達到CPU最大工作頻率，發(fā)揮CPU的全部性能。此外，由于采用一個片上穩(wěn)壓器，功耗與Vdd電壓無關(guān)，所以具有更高的設(shè)計靈活性，并有助于簡化產(chǎn)品設(shè)計。 其它創(chuàng)新特性包括低功耗嵌入式非易失性存儲器和多個電源管理模式，包括5.4μA低功耗運行模式、3.3μA低功耗待機模式、1μA主動停止模式（實時時鐘運行）和350nA停止模式。STM8L可以在4μs內(nèi)從停止模式喚醒，支持頻繁使用最低功耗模式。低功耗外設(shè)，包括小于1μA的實時時鐘和自動喚醒（AWU）模塊，有助于進一步節(jié)省電能。總之，這個平臺可將動態(tài)電流消耗降到150μA/MHz。 這個低功耗平臺的另一個特性：確保集成的模擬電路在低至1.8V工作電壓仍可操作，在整個Vdd電壓范圍內(nèi)最大化微控制器的功能。 開發(fā)工程師還將獲益于STM8L全系列器件在引腳和軟件上的兼容性，以及與意法半導體的STM32系列32位微控制器共用外設(shè)接口所帶來的設(shè)計靈活性與擴展性。 STM8L101系列是STM8L超低功耗8位微控制器的入門級產(chǎn)品，特色是在一個超小的封裝內(nèi)取得很高的集成度，閃存密度高達8KB，有20引腳、28引腳和32引腳封裝可選。 第二個產(chǎn)品線STM8L15x目前正在向客戶提供測試樣片，增加32KB片上閃存、最大達2KB 的SRAM、外部晶振/時鐘功能、增強型復位以及直接存儲存�。―MA）支持等功能。STM8L15x還增多個外設(shè)接口，包括一個電機控制計時器、更多的模擬功能、實時時鐘和快速模數(shù)和數(shù)模轉(zhuǎn)換功能。片上EEPROM具有真正的讀寫同步（RWW）功能，省去在閃存內(nèi)進行復雜且昂貴的仿真測試。 第三個產(chǎn)品線STM8L152多集成一個液晶顯示器控制單元。STM8L151和STM8L152兩條產(chǎn)品線擬定于2010年初開始量產(chǎn)。 詳細技術(shù)信息 超低功耗技術(shù)平臺是意法半導體針對8位和32位微控制器開發(fā)的，發(fā)布于2009年6月。該技術(shù)平臺基于意法半導體獨有的針對超低泄漏電流優(yōu)化的130nm 制程，除現(xiàn)有的節(jié)能型微控制器設(shè)計技術(shù)外，平臺還集成創(chuàng)新的低功耗嵌入式存儲器和模擬電路。獨有的優(yōu)點包括在整個電源電壓（Vdd）范圍內(nèi)支持最高的工作頻率，功耗高低與Vdd電壓無關(guān)，為開發(fā)人員提供了更高的設(shè)計的靈活性，并有助于簡化設(shè)計。 此外，配備多種低功耗模式使STM8L微控制器能夠?qū)崿F(xiàn)從完全關(guān)閉到超低頻率下持續(xù)監(jiān)視的不同運行要求的應(yīng)用。外設(shè)時鐘門控可進一步降低整體運行和等待兩種模式的電流消耗。 超低功耗平臺還實現(xiàn)了一個先進而靈活的支持多個內(nèi)外時鐘源的時鐘系統(tǒng)。這個特性讓開發(fā)人員實時優(yōu)化頻率和時鐘源，盡可能以最低的功耗滿足應(yīng)用需求。 當需要經(jīng)�；蝾l繁使用系統(tǒng)喚醒功能時，實時時鐘和自動喚醒（AWU）單元小于1μA、最低功耗模式喚醒少于4μs等特性可確保高能效運行。片上集成的系統(tǒng)安全保護特性也是為超低功耗優(yōu)化的，包括上電復位（POR/PDR）以及一個可選的激活欠壓復位（BOR）。 STM8L151和STM8L152系列的片上DMA特性使外設(shè)可以獨立于內(nèi)核工作。通過關(guān)閉閃存和CPU，只讓必要的外設(shè)處于運行狀態(tài)，可以節(jié)省更多的電能。 所有的STM8L產(chǎn)品還受益于意法半導體的先進的8位STM8微控制器架構(gòu)。16位索引寄存器、16MB線性地址空間，和以16MHz頻率實現(xiàn)16 CISC MIPS處理速度的高每指令周期效率等特性，是STM8架構(gòu)出色的性能。 所有STM8L產(chǎn)品都可在-40°C到+85°C溫度范圍內(nèi)工作。此外，意法半導體還提供最高工作溫度+125°C的耐高溫 |
