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東芝成功開發(fā)可變?nèi)萘啃蚏F MEMS,有望2010量產(chǎn)

發(fā)布時(shí)間:2009-2-19 15:42    發(fā)布者:admin
關(guān)鍵詞: MEMS , 東芝 , 可變 , 量產(chǎn) , 容量

東芝開發(fā)成功了有望使新一代手機(jī)等多頻帶無線通信產(chǎn)品降低成本、縮小體積的RF MEMS元件。今后,將面向量產(chǎn)進(jìn)一步開發(fā),力爭(zhēng)2010年達(dá)到實(shí)用水平。

此次開發(fā)的是在RF電路中用一個(gè)電路實(shí)現(xiàn)多個(gè)帶寬的元件。一般來說,RF電路利用天線、頻率濾波器、放大器以及振蕩電路針對(duì)不同頻帶進(jìn)行優(yōu)化。現(xiàn)有的元件通過固定電路參數(shù)僅能支持一種帶寬。預(yù)計(jì)到21世紀(jì)10年代,用一部手機(jī)支持多個(gè)帶寬的無線系統(tǒng)將成為主流。每個(gè)頻率均配備無線電路將導(dǎo)致手機(jī)尺寸增大、成本增加。而此次開發(fā)的元件不同,為了在RF電路的整合電路方面通過一條電路支持多個(gè)帶寬,采用了可對(duì)電容器的靜態(tài)電容量進(jìn)行調(diào)節(jié)的設(shè)計(jì)。

為了實(shí)現(xiàn)對(duì)電容器的靜態(tài)電容量進(jìn)行調(diào)節(jié),采用了對(duì)向電極間距離能夠控制的構(gòu)造。這種可變?nèi)萘吭饲熬陀羞^研發(fā),不過由于未能解決一些技術(shù)問題而未能用于實(shí)際。最大的難題是被稱為Charging的電荷累積現(xiàn)象。也即隨著使用時(shí)間的加長(zhǎng),電荷被配置于對(duì)向電極間的介電體(絕緣膜)捕獲,電荷和電極間的引力導(dǎo)致電極無法移動(dòng)分離。

為避免這一現(xiàn)象的發(fā)生,也有不使用介電體、而將空氣作為絕緣層的方法。但是這樣,就無法得到較大的容量及容量比。另外,由于需要在電極間施加高電位差,移動(dòng)電極時(shí)就需要高電壓,耗電量就會(huì)增大。對(duì)此,東芝一直試圖通過稱為雙極驅(qū)動(dòng)的電路技術(shù)解決這一問題。為了讓介電體上不積存電荷,交替向電極施加正負(fù)極性相反的電壓,以使電子或空穴不增加。不過,即使這樣做也未能完全消除電荷。

此次,東芝進(jìn)一步改進(jìn)雙極驅(qū)動(dòng)技術(shù),開發(fā)出了“智能雙極驅(qū)動(dòng)(IBA)”法。每次驅(qū)動(dòng)均檢測(cè)積存的電荷,根據(jù)其正負(fù)極性以及電荷量向電極施加消除積存電荷的電壓。這樣電荷就不會(huì)大量積存,能夠減少因Charging現(xiàn)象導(dǎo)致的故障。

東芝介紹說,原來的雙極驅(qū)動(dòng)在幾千萬次的反復(fù)工作后會(huì)出現(xiàn)工作不良的情況,此次的IBA方法在一億次反復(fù)工作后仍未出現(xiàn)Charging現(xiàn)象。一億次可充分保證在手機(jī)等在各種用途下工作數(shù)年。

此次的成果是東芝半導(dǎo)體公司半導(dǎo)體研究中心高性能CMOS元器件技術(shù)開發(fā)部開發(fā)出來的,今后還將面向量產(chǎn)繼續(xù)開發(fā)。目前,對(duì)MEMS部分的成本及可靠性影響較大的封裝技術(shù)已經(jīng)開發(fā)完成。另外,該公司還在開發(fā)與此次的方法不同的可變?nèi)萘縍F MEMS元器件,并已在“2007 IEDM”上發(fā)布。此次的方法比IEDM上的發(fā)布成果更接近于實(shí)用水平。不過,在耗電量方面,IEDM上發(fā)布的成果更為出色,從長(zhǎng)遠(yuǎn)來看,IEDM上的發(fā)布成果有可能成為主流。另外,該公司還打算在發(fā)送電路或接收電路上分別使用兩種元件。

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