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8-Mb并口非易失性F-RAM存儲器(Ramtron)

發(fā)布時間:2009-7-21 20:59    發(fā)布者:admin
關鍵詞: Ramtron , 并口 , 存儲器 , 易失性
Ramtron International Corporation宣布推出采用FBGA封裝的8兆位(Mb) F-RAM存儲器。FM23MLD16是采用48腳球柵陣列(FBGA)封裝的8-Mb、3V并口非易失性RAM,具有訪問速度快、幾乎無限次的讀寫次數以及低功耗等優(yōu)點。該器件與異步靜態(tài) RAM (SRAM) 引腳兼容,主要針對工業(yè)控制系統如機器人技術、網絡RAID存儲解決方案、多功能打印機、自動導航系統,以及各種基于SRAM的系統設計。



產品主要特性
FM23MLD16是512K×16 的非易失性存儲器,采用工業(yè)標準并行接口實現存取,訪問時間為60ns,一個訪問周期為115ns。該器件以 ‘無延遲’ (NoDelay)的特點按照總線速度進行讀寫操作,擦寫壽命至少為1E14 (100萬億) 次,并提供10年的數據保存能力。
相比需以電池供電的 SRAM (BBSRAM),FM23MLD16無需電池即可進行數據備份,性能更出眾。作為真正的表面封裝焊解決方案,FM23MLD16無需象電池備份的SRAM那樣需要與電池相關的返工步驟,而且具有更高的耐潮性、抗沖擊和抗振動能力,使F-RAM成為要求嚴苛的工業(yè)應用的理想選擇。FM23MLD16包含低電壓檢測功能,當電源電壓低于臨界閾值時,便會阻止對存儲器的訪問。從而防止存儲器在這種情況下出現的不當訪問,避免數據破壞。
此外,FM23MLD16具有通用的與高性能微處理器相連的接口,兼具高速頁寫模式,能以高達33MHz的速度進行8字節(jié)并發(fā)(Burst)讀寫操作。FM23MLD16器件的讀/寫工作電流為9mA,待機模式下典型電流值僅為180µA,而在整個工業(yè)溫度范圍內 (-40℃至+85℃) 的工作電壓為2.7V至3.6V。
價格和供貨
Ramtron  現已提供FM23MLD16的樣品,采用符合RoHS指令要求的48腳FBGA封裝,訂購1萬片,單價為29.23美元。
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