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提供業(yè)界最低讀取電流的內(nèi)存，適用于穿戴式裝置與助聽器 富士通電子元器件（上海）有限公司今天宣布，推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM（可變電阻式存儲器）產(chǎn)品MB85AS4MT。此產(chǎn)品為富士通半導(dǎo)體與松下電器半導(dǎo)體合作開發(fā)的首款ReRAM存儲器產(chǎn)品。 ReRAM是基于電阻式隨機存取的一種非易失性存儲器，此產(chǎn)品可將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結(jié)合于一身，同時具備更低的功耗及更快的讀寫速度。ReRAM作為存儲器前沿技術(shù)，未來預(yù)期可以替代目前的FlashRAM,并且具有成本更低,性能更突出的優(yōu)勢。ReRAM存儲芯片的能耗可達(dá)到閃存的1/20，數(shù)據(jù)擦寫上限是后者的10倍。 此全新產(chǎn)品適用于需電池供電的穿戴式裝置及助聽器等醫(yī)療設(shè)備，例如助聽器等需要高密度且低功耗的電子設(shè)備上有絕佳的表現(xiàn)。 截至目前為止，富士通通過提供具有耐讀寫及低功耗特性的FRAM（鐵電隨機存儲器），以滿足客戶對遠(yuǎn)高于EEPROM以及串列式Flash等傳統(tǒng)非易失性存儲器的效能需求。在將新款4 Mbit ReRAM MB85AS4MT加入其產(chǎn)品線后，富士通可進(jìn)一步擴(kuò)充產(chǎn)品系列，以滿足客戶多樣化的需求。 MB85AS4MT不僅能在電壓1.65至3.6伏特之間的廣泛范圍內(nèi)工作，還能通過SPI接口支持最高5 MHz的工作頻率，并在讀取時僅需極低的工作電流（5MHz頻率下平均僅消耗0.2mA）。此外，該產(chǎn)品擁有業(yè)界非易失性內(nèi)存最低的讀取功耗。 此全新產(chǎn)品采用209mil 8-pin的SOP（small outline package），引腳與EEPROM等非易失性內(nèi)存產(chǎn)品兼容。富士通在微型8-pin SOP封裝中置入4 Mbit的ReRAM，超越了串行接口EEPROM的最高密度。 富士通預(yù)期MB85AS4MT高密度且低功耗的特性可運用在電池供電的穿戴式設(shè)備、助聽器等醫(yī)療設(shè)備，以及量表與傳感器等物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備。 富士通預(yù)期未來持續(xù)提供各種產(chǎn)品與解決方案，以協(xié)助客戶提升其應(yīng)用的價值與便利性。 產(chǎn)品規(guī)格 組件料號：MB85AS4MT 內(nèi)存密度（組態(tài)）：4 Mbit（512K字符x 8位） 界面：SPI（Serial peripheral interface） 工作電壓：1.65 – 3.6V 低功耗：讀入工作電流0.2mA（于5MHz） 寫入工作電流1.3mA（寫入周期間） 待機電流10µA 休眠電流2µA 保證寫入周期：120萬次 保證讀取周期：無限 寫入周期（256 位/頁）：16毫秒（100%數(shù)據(jù)倒置） 數(shù)據(jù)保留：10年（最高攝氏85度） 封裝：209mil 8-pin SOP |
