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Qorvo發(fā)布六款全新更高性能的GaN分立式LNA和驅(qū)動(dòng)器

發(fā)布時(shí)間:2016-11-4 12:54    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: LNA , GaN
Qorvo發(fā)布了一系列六款全新的氮化鎵(GaN)芯片晶體管---TGF2933-36和TGF2941-42,新產(chǎn)品的高頻性能更出色,噪聲更低,這對(duì)先進(jìn)的通信、雷達(dá)和國防RF系統(tǒng)應(yīng)用而言甚為關(guān)鍵。

該系列的這六款全新GaN晶體管及其相關(guān)模型的制造工藝采用了業(yè)內(nèi)獨(dú)有的Qorvo 0.15um碳化硅基氮化鎵(SiC)工藝——QGaN15。QGaN15工藝令晶體管工作頻率高達(dá)25 GHz,支持芯片級(jí)設(shè)計(jì),通過K頻段應(yīng)用提供頻率更高且經(jīng)濟(jì)高效的分立式技術(shù)。

Qorvo高性能解決方案事業(yè)部總經(jīng)理Roger Hall表示:“高性能GaN產(chǎn)品、互補(bǔ)模塊和專業(yè)的應(yīng)用工程支持有機(jī)結(jié)合,使得Qorvo脫穎而出。我們幫助設(shè)計(jì)人員將產(chǎn)品加速推向市場(chǎng)!

支持迅速、準(zhǔn)確的性能測(cè)試并加速生產(chǎn)就緒過程的線性、非線性以及噪聲模型由我們的合作伙伴、仿真技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)Modelithics, Inc.提供。這些模型提供的功能包括擴(kuò)展工作電壓、環(huán)境溫度和自熱效應(yīng),以及針對(duì)波形優(yōu)化的固有電壓/電流節(jié)點(diǎn)訪問。

下表簡(jiǎn)要介紹了QGaN15產(chǎn)品的特性。

10GHz時(shí)的數(shù)據(jù):
ProductFreq (GHz)Vd(V)Psat (W)PAE (%)SS Gain (dB)NF (dB)
產(chǎn)品頻率 (GHz)Vd(V)Psat (W)PAE (%)SS 增益 (dB)NF (dB)
TGF2933DC-2528757151.3
TGF2934DC-25281449141.5
TGF2935DC-2528560161.3
TGF2936DC-25281058161.3
TGF2941DC-2528460161.3
TGF2942DC-2528259181.2

Qorvo是國防和有線行業(yè)的領(lǐng)先GaN RF供應(yīng)商*。自1999年起,Qorvo 就一直在推動(dòng)GaN研究和創(chuàng)新,提供經(jīng)過檢驗(yàn)的GaN電路可靠性和緊湊型、高效率產(chǎn)品。Qorvo于2014年完成了美國國防生產(chǎn)法案第三法令的GaN on SiC計(jì)劃,是獲得國防制造電子機(jī)構(gòu)認(rèn)證的1A類可信來源。公司還是唯一一家達(dá)到制造成熟度(MRL)9級(jí)的GaN供應(yīng)商。Qorvo一直推動(dòng)GaN產(chǎn)品的下一代系統(tǒng)創(chuàng)新(從直流到Ka頻段),憑借其可靠的性能、低維護(hù)和長運(yùn)行壽命,成功實(shí)現(xiàn)從工廠到現(xiàn)場(chǎng)的轉(zhuǎn)變。
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