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一種低溫漂輸出可調(diào)帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)

發(fā)布時(shí)間:2010-7-22 10:27    發(fā)布者:vinda
關(guān)鍵詞: 電壓基準(zhǔn)
在A/D和D/A轉(zhuǎn)換器、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)以及各種測(cè)量設(shè)備中,都需要高精度、高穩(wěn)定性的基準(zhǔn)電壓源,并且基準(zhǔn)電壓源的精度和穩(wěn)定性決定了整個(gè)系統(tǒng)的工作性能。電壓基準(zhǔn)源主要有基于正向VBE的電壓基準(zhǔn)、基于齊納二極管反向擊穿特性的電壓基準(zhǔn)、帶隙電壓基準(zhǔn)等多種實(shí)現(xiàn)方式,其中帶隙基準(zhǔn)電壓源具有低溫度系數(shù)、高電源抑制比、低基準(zhǔn)電壓等優(yōu)點(diǎn),因而得到了廣泛的應(yīng)用。

本文在基于傳統(tǒng)帶隙電壓基準(zhǔn)源原理的基礎(chǔ)上,采用電流反饋、一級(jí)溫度補(bǔ)償?shù)燃夹g(shù),同時(shí)在電路中加入啟動(dòng)電路,設(shè)計(jì)了一個(gè)高精度、輸出可調(diào)的帶隙基準(zhǔn)電壓源,并在SMIC 0.25μm CMOS工藝條件下對(duì)電路進(jìn)行了模擬和仿真。  

1 帶隙基準(zhǔn)電壓源工作原理與傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)  

帶隙基準(zhǔn)電壓源的原理就是利用PN結(jié)電壓的負(fù)溫度系數(shù)和不同電流密度下兩個(gè)PN結(jié)電壓差的正溫度系數(shù)電壓VT相互補(bǔ)償,使輸出電壓達(dá)到很低的溫度漂移。  

1.1 帶隙基準(zhǔn)電壓源工作原理  

圖1為溫度對(duì)二極管伏安特性的影響。  

可以看出,溫度升高,保持二極管正向電流不變時(shí)所需正向偏壓減小,溫度系數(shù)為:-1.9 mV/℃~2.5 mV/℃。  
PN結(jié)電流與外加電壓的關(guān)系為:


圖2(a)為帶隙電壓基準(zhǔn)源的原理示意圖。



結(jié)壓降VBE在室溫下溫度系數(shù)約-2.0 mV/K,而熱電壓VT(VT=k0T/q),在室溫下的溫度系數(shù)為0.085 mV/K,將VT乘以常數(shù)k并與KBE相加,可得到輸出電壓Vref為:



將式(1)對(duì)溫度T進(jìn)行一次微分,并在室溫下等于0(輸出電壓在室溫下的理論溫度系數(shù)等于0),解得常數(shù)k,即



1.2 傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)電壓源結(jié)構(gòu)  

圖2(b)是傳統(tǒng)的CMOS帶隙電壓基準(zhǔn)源電路,圖中運(yùn)算放大器的作用是使電路處于深度負(fù)反饋狀態(tài),從而讓運(yùn)算放大器兩輸入端電壓相等。  
在電路穩(wěn)定輸出時(shí):
  


由式(3)、式(4)得:



式中:k為常數(shù),  


  
由于實(shí)際的運(yùn)算放大器存在一定的失調(diào)電壓VOS,所以實(shí)際輸出電壓為:


   
由式(7)可得,運(yùn)算放大器的失調(diào)電壓會(huì)導(dǎo)致比較大的基準(zhǔn)輸出電壓誤差。運(yùn)算放大器的失調(diào)電壓VOS包括自身的失調(diào)、電源電壓變化引起的失調(diào)、工藝不匹配引起的失調(diào)及溫度引起的失調(diào),其中自身的失調(diào)占主要作用,所以在大多數(shù)帶隙基準(zhǔn)源電路中,一般采用兩級(jí)高增益運(yùn)算放大器作為反饋運(yùn)放,以降低失調(diào)電壓。傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)電壓源結(jié)構(gòu)雖然能輸出比較精確的電壓,但是所得到的精度有限,而且其基準(zhǔn)電壓范圍有限(1.25 V左右),要想克服上述問題和限制,必須對(duì)傳統(tǒng)基準(zhǔn)源的結(jié)構(gòu)有所改進(jìn)。  

2 CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源電路結(jié)構(gòu)  

本設(shè)計(jì)是在SMIC 0.25μm CMOS工藝基礎(chǔ)上完成的,設(shè)計(jì)中采用了一級(jí)溫度補(bǔ)償、電流反饋等技術(shù)。其電路結(jié)構(gòu)如圖3所示(不考慮虛線框R5部分)。  

BGR核心電路中,晶體管Q1、Q2為使用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝制造的二極管連接形式的PNP縱向三極管(BJT)。Q2和Q1的發(fā)射極面積的比為N,流過Q1和Q2的電流相等,這樣△VBE就等于VTln(N)。流過電阻R1的電流I4是與熱力學(xué)溫度成正比的。流過M2、M3、M4的電流相等(I1=I2=I3),所以
  


參考電壓Vref為:



通過調(diào)節(jié)R3與R1的比值和Q2與Q1發(fā)射極面積的比值,可以使輸出電壓參考在室溫下的溫度系數(shù)為0。



本設(shè)計(jì)還具有輸出可調(diào)的特點(diǎn),設(shè)計(jì)中采用文獻(xiàn)[2]提到的在運(yùn)算放大器兩輸入端與地之間加電阻的方法。由式(9)可看出,在調(diào)節(jié)了k值

后,可以方便地調(diào)節(jié)R4的值來調(diào)節(jié)參考電壓的輸出大小,正是由于運(yùn)算放大器兩輸入端的接地電阻R2、R3的增加,使得總的鏡像電流通過電阻R4后可以方便地改變輸出大小,相比文獻(xiàn)[3]中的二次分壓結(jié)構(gòu)更簡(jiǎn)單,更節(jié)省面積。  

該帶隙基準(zhǔn)源的電流源不僅用于提供基準(zhǔn)輸出所需的電流,也用于產(chǎn)生差分放大器所需的電流源偏置電壓,大大簡(jiǎn)化了電路的版圖。設(shè)計(jì)中采用了高增益NMOS差分對(duì)運(yùn)算放大器,根據(jù)文獻(xiàn)[4],實(shí)驗(yàn)仿真結(jié)果顯示,對(duì)于電源電壓的直流變化,低電源抑制比的運(yùn)算放大器也能實(shí)現(xiàn)電壓跟隨,Vref輸出穩(wěn)定。而在電源電壓有交流干擾、特別是信號(hào)頻率較高(>30 MHz)時(shí),Vref輸出端也有同頻的交流信號(hào),幅度近似于電源干擾信號(hào)的幅度,這時(shí)Vref已不能認(rèn)為是恒定的輸出。原因是運(yùn)算放大器輸出信號(hào)與電源信號(hào)之間存在明顯的相位差。解決的方法有兩種:第1種是提高運(yùn)算放大器的單位增益帶寬;第2種是降低運(yùn)算放大器本身的PSRR(電源抑制比)。第1種方法會(huì)增大電路消耗的功率,對(duì)于第2種方法,我們采用低PSRR(電源抑制比)的運(yùn)算放大器就可以實(shí)現(xiàn),相比于文獻(xiàn)[5]中使用的PMOS差分對(duì)運(yùn)算放大器,我們采用相對(duì)較低PSRR的NMOS差分對(duì)運(yùn)算放大器。  

本設(shè)計(jì)中還增加了帶隙基準(zhǔn)源的啟動(dòng)電路,因?yàn)閹痘鶞?zhǔn)源存在兩個(gè)電路平衡點(diǎn),即零點(diǎn)和正常工作點(diǎn),當(dāng)電路處在零點(diǎn)時(shí),整個(gè)電路中沒有電流流過,電路不能正常工作。啟動(dòng)電路應(yīng)滿足兩個(gè)方面的要求:一是確?傆须娏髁鬟^參考源中的晶體管,使得零狀態(tài)處的環(huán)路增益大于1,避免陷入零狀態(tài);二是參考源啟動(dòng)后,啟動(dòng)電路不應(yīng)干擾參考源的正常工作。當(dāng)基準(zhǔn)源工作在零點(diǎn)時(shí),節(jié)點(diǎn)N1、N2的電壓等于0,基準(zhǔn)源沒有電流產(chǎn)生。啟動(dòng)電路的目的就是為了避免基準(zhǔn)源工作在不必要的零點(diǎn)上。本文設(shè)計(jì)了圖3中所示的啟動(dòng)電路,電路由M11、M12和M13構(gòu)成。當(dāng)電路工作在零點(diǎn)時(shí),N2點(diǎn)電壓為0,M13管導(dǎo)通,迅速提高節(jié)點(diǎn)N1、N2的電壓,產(chǎn)生基準(zhǔn)電流;這時(shí)節(jié)點(diǎn)N1的電壓通過M11和M12組成的反相器,使M13管完全截止,節(jié)點(diǎn)N1、N2的電壓回落在穩(wěn)定的工作點(diǎn)上,基準(zhǔn)源開始正常工作而啟動(dòng)電路中沒有電流流過。
  
3 電路模擬和仿真結(jié)果  

基于0.25μm BSIM3V3.2工藝模型,用cadence的spectre仿真工具對(duì)高精度輸出可調(diào)帶隙基準(zhǔn)電壓源電路進(jìn)行了溫度掃描和電源抑制比的模擬仿真。溫度范圍為-20℃~70 ℃,電源電壓范圍為2 V~3 V。在SMIC 0.25μm BSIM3V3.2工藝tt模型下的仿真所得結(jié)果為:輸出Vref為1.012 V左右時(shí),溫度系數(shù)可達(dá)4.8×10-6/℃(如圖4(a)所示),PSRR可達(dá)54 dB(如圖4(b)所示);輸出Vref1為453.7 mV左右時(shí),溫度系數(shù)可達(dá)4.4×10-6/℃(如圖5(a)所示),PSRR為42 dB(如圖5(b)所示)。







4 結(jié)束語(yǔ)  

本設(shè)計(jì)是在傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)電壓源理論的基礎(chǔ)上,對(duì)電路進(jìn)行改進(jìn)而得到的高精度、輸出可調(diào)的基準(zhǔn)電壓源,在設(shè)計(jì)中采用了一級(jí)溫度補(bǔ)償、電流反饋等技術(shù),并在電路中增加了啟動(dòng)電路。仿真結(jié)果顯示該設(shè)計(jì)溫度系數(shù)高,可輸出不同范圍穩(wěn)定的基準(zhǔn)電壓,達(dá)到預(yù)期的設(shè)計(jì)目標(biāo)。
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