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砷化鎵集成電路市場2015年增長率超過25%

發(fā)布時間：2016-1-7 10:31    發(fā)布者：moore100
關(guān)鍵詞： 砷化鎵 , 集成電路
砷化鎵集成電路市場2015年增長率超過25%；


　　[據(jù)C4ISR網(wǎng)站2015年12月23日報道] 盡管存在硅的競爭，但無線通信的需求將繼續(xù)推動砷化鎵市場發(fā)展。

　　據(jù)美國市場研究和咨詢公司——信息網(wǎng)絡(luò)公司稱，強大的無線通信需求使砷化鎵集成電路市場2015年增長率超過25%。

　 　每個手機都包含基于砷化鎵異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT）技術(shù)的功率放大器（PA）。一個2G手機包含一個PA，而一個3G手機通常含有多達五個PA。蘋果 的4G智能手機6S包含六個PA：Avago的ACPM-7600和ACPM-8010，高通的QFE2320和QFE2340，和Skyworks的 sky85303和sky85707。

　　該公司的“砷化鎵集成電路市場”報告稱，雖然GaAs PA逐漸被硅基CMOS產(chǎn)品替代，繼續(xù)失去市場份額，但在可預(yù)見的未來，仍將在RF技術(shù)領(lǐng)域占主導(dǎo)地位。

　　PA的定價已經(jīng)從每個2G手機0.30美元提高到每個3G手機1.25美元，全球長期演進（LTE）技術(shù)中的PA為3.25美元。（工業(yè)和信息化部電子科學(xué)技術(shù)情報研究所 張慧）

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