國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議ISSCC：三星發(fā)表最新的10nm制程技術(shù)

亞光彩

【路之遙電子網(wǎng)訊】伴隨著圣誕節(jié)的來臨，2016的腳步越來越近，各大芯片廠商的最新研發(fā)成果也爭(zhēng)先“出爐”。 “國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議”作為諸多成果展示會(huì)，就更加令人期待。究竟芯片巨頭都會(huì)有哪些“驚喜”帶給用戶，在這里我們就先一睹為快。



三星最新的10nm制程技術(shù)

三星將提供更多DRAM與快閃記憶體晶片細(xì)節(jié)，其中最重要的是一款采用10nm FinFET技術(shù)制程的128Mbit嵌入式SRAM。根據(jù)ISSCC主辦單位表示，該元件具有“迄今最小的SRAM位元單元，”高密度(HD)型晶片尺寸約0.040μm，而高電流(HD)晶片版本的尺寸約0.049μm。該設(shè)計(jì)支援“整合型輔助電路，可分別改善HD與HC位元單元的最小操作電壓(Vmin)至130mV與80mV。

The Linley Group微處理器分析師David Kanter表示，“相較于三星0.064μm2的14nm SRAM，10nm晶片版縮小了0.63倍，當(dāng)然不盡理想；但相較于0.049μm2的英特爾(Intel)14nm SRAM，三星的記憶體單元?jiǎng)t縮小了0.82倍，這是三星未在20nm與14nm之間微縮金屬規(guī)律的結(jié)果�！钡獽anter預(yù)計(jì)英特爾的10nm SRAM尺寸應(yīng)該會(huì)更小。

海力士256Gbit/s頻寬的DRAM堆疊，

海力士(SK Hynix)將展示256Gbit/s頻寬的DRAM堆疊，“可在堆疊的邏輯層……為記憶體核心處理指令解碼與偏置產(chǎn)生”，而不像以往設(shè)計(jì)是在記憶體層進(jìn)行。此外，它還在負(fù)載過重的3D互連上采用較小擺幅訊號(hào)傳輸，以便降低功耗驅(qū)動(dòng)互連。這種高密度的記憶體晶片將有助于實(shí)現(xiàn)高性能運(yùn)算、加速器以及小型繪圖卡。

英特爾DNA測(cè)序晶片。

英特爾與加州大學(xué)研究人員將共同發(fā)表一款經(jīng)概念驗(yàn)證的DNA測(cè)序晶片。這款32nm的晶片在CMOS讀取電路上整合了8,192畫素的奈米裂隙(nanogap)轉(zhuǎn)換器陣列，從而為DNA測(cè)序創(chuàng)造一種電化學(xué)生物感測(cè)技術(shù)，同時(shí)還能具有高訊號(hào)雜訊比(SNR)�！艾F(xiàn)有的DNA測(cè)序解決方案通常不是使用難以微縮的光學(xué)感應(yīng)技術(shù)，就是SNR低的分子感測(cè)方式，如今這種新途徑可望為整合于電子產(chǎn)品應(yīng)用的更小尺寸、更低成本DNA測(cè)序鋪路�！�

除以上幾大廠商之外，聯(lián)發(fā)、臺(tái)積電，以及各大研究機(jī)構(gòu)都有最新成果展示，其中包括指紋辨識(shí)、視覺處理器以及更高密度記憶體等技術(shù)。因而2016 ISSCC值得期待。