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1 AD9225的結(jié)構(gòu) AD9225是ADI公司生產(chǎn)的單片、單電源供電、12位精度、25Msps高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器,片內(nèi)集成高性能的采樣保持放大器和參考電壓源。AD9225采用帶有誤差校正邏輯的四級(jí)差分流水結(jié)構(gòu),以保證在25Msps采樣率下獲得精確的12位數(shù)據(jù)。除了最后一級(jí),每一級(jí)都有一個(gè)低分辨率的閃速A/D與一個(gè)殘差放大器(MDAC)相連。此放大器用來(lái)放大重建DAC的輸出和下一級(jí)閃速A/D的輸入差,每一級(jí)的最后一位作為冗余位,以校驗(yàn)數(shù)字誤差,其結(jié)構(gòu)如圖1所示。 圖1 AD9225結(jié)構(gòu)圖 2 AD9225的輸入和輸出 (1) 時(shí)鐘輸入 AD9225采用單一的時(shí)鐘信號(hào)來(lái)控制內(nèi)部所有的轉(zhuǎn)換,A/D采樣是在時(shí)鐘的上升沿完成。在25Msps的轉(zhuǎn)換速率下,采樣時(shí)鐘的占空比應(yīng)保持在45%~55%之間;隨著轉(zhuǎn)換速率的降低,占空比也可以隨之降低。在低電平期間,輸入SHA處于采樣狀態(tài);高電平期間,輸入SHA處于保持狀態(tài)。圖2為其時(shí)序圖。圖2中： 圖2 AD9225時(shí)序圖 tch——高電平持續(xù)時(shí)間,最小值為18 ns; tcl——低電平持續(xù)時(shí)間,最小值為18 ns; tod——數(shù)據(jù)延遲時(shí)間,最小值為13 ns。 從時(shí)序圖可以看出：轉(zhuǎn)換器每個(gè)時(shí)鐘周期(上升沿)捕獲一個(gè)采樣值,三個(gè)周期以后才可以輸出轉(zhuǎn)換結(jié)果。這是由于AD9225采用的四級(jí)流水結(jié)構(gòu),雖然可以獲得較高的分辨率,但卻是以犧牲流水延遲為代價(jià)的。 (2) 模擬輸入AD9225的模擬輸入引腳是VINA、VINB,其絕對(duì)輸入電壓范圍由電源電壓決定： 其中, AVSS正常情況下為0 V,AVDD正常情況下為+5 V。 AD9225有高度靈活的輸入結(jié)構(gòu),可以方便地和單端或差分輸入信號(hào)進(jìn)行連接。采用單端輸入時(shí),VINA可通過(guò)直流或交流方式與輸入信號(hào)耦合,VINB要偏置到合適的電壓;采用差分輸入時(shí),VINA和VINB要由輸入信號(hào)同時(shí)驅(qū)動(dòng)。 (3) 數(shù)字輸出 AD9225 采用直接二進(jìn)制碼輸出12位的轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù),并有一位溢出指示位(OTR),連同最高有效位可以用來(lái)確定數(shù)據(jù)是否溢出。圖3為溢出和正常狀態(tài)的邏輯判斷圖。 圖3 溢出和正常狀態(tài)的邏輯判斷圖 3 AD9225參考電壓和量程的選用 參考電壓VREF決定了AD9225的量程,即 滿刻度量程= 2×VREF VREF的值由SENSE引腳確定。如果SENSE與AVSS 相連,VREF是2.0 V,量程是0~4 V;如果SENSE與VREF直接相連, VREF是1.0 V,量程是0~2 V;如果SENSE與VREF通過(guò)電阻網(wǎng)絡(luò)相連,則VREF可以是1.0~2.0 V之間的任意值,量程是0~2VREF;如果SENSE與AVDD 相連,表示禁用內(nèi)部參考源,即VREF由外部參考電壓源驅(qū)動(dòng)。內(nèi)部電路用到的參考電壓是出現(xiàn)在CAPT和CAPB端。表1是參考電壓和輸入量程的總結(jié)。 表1 參考電壓和輸入量程 4 AD9225的存儲(chǔ)方案設(shè)計(jì) 在高速數(shù)據(jù)采集電路的實(shí)現(xiàn)中,有兩個(gè)關(guān)鍵的問(wèn)題：一是模擬信號(hào)的高速轉(zhuǎn)換;二是變換后數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)及提取。AD9225的采樣速度可達(dá)25Msps,完全可以滿足大多數(shù)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的要求,故首要解決的關(guān)鍵問(wèn)題是與存儲(chǔ)器的配合問(wèn)題。 在數(shù)據(jù)采集電路中, 有以下幾種存儲(chǔ)方案可供選擇。 (1)分時(shí)存儲(chǔ)方案 分時(shí)存儲(chǔ)方案的原理是將高速采集到的數(shù)據(jù)進(jìn)行分時(shí)處理, 通過(guò)高速鎖存器按時(shí)序地分配給N個(gè)存儲(chǔ)器。雖然電路中增加了SRAM的片數(shù),但使存儲(chǔ)深度增加,用低價(jià)格的SRAM構(gòu)成高速數(shù)據(jù)存儲(chǔ)電路,獲得較高的(單位速度×單位存儲(chǔ)深度)/價(jià)格比。但由于電路單數(shù)據(jù)口的特點(diǎn),不利于數(shù)據(jù)的實(shí)時(shí)處理,并且為使數(shù)據(jù)被鎖存后留有足夠的時(shí)間讓存儲(chǔ)器完成數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),需要產(chǎn)生特殊的寫(xiě)信號(hào)線 。 (2)雙端口存儲(chǔ)方案 雙端口存儲(chǔ)器的特點(diǎn)是,在同一個(gè)芯片里,同一個(gè)存儲(chǔ)單元具有相同的兩套尋址機(jī)構(gòu)和輸入輸出機(jī)構(gòu),可以通過(guò)兩個(gè)端口對(duì)芯片中的任何一個(gè)地址作非同步的讀和寫(xiě)操作,讀寫(xiě)時(shí)間最快達(dá)到十幾ns。當(dāng)兩個(gè)端口同時(shí)(5 ns以內(nèi) )對(duì)芯片中同一個(gè)存儲(chǔ)單元尋址時(shí), 芯片中有一個(gè)協(xié)調(diào)電路將參與協(xié)調(diào)。雙端口存儲(chǔ)器方案適用于小存儲(chǔ)深度、數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)處理的場(chǎng)合。由于雙端口存儲(chǔ)器本身具備了兩套尋址系統(tǒng),在電路的設(shè)計(jì)時(shí),可以免去在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和讀取時(shí)對(duì)地址時(shí)鐘信號(hào)的切換問(wèn)題的考慮,使數(shù)據(jù)變得簡(jiǎn)單和快捷。 (3)先進(jìn)先出存儲(chǔ)方案 先進(jìn)先出存儲(chǔ)器的同一個(gè)存儲(chǔ)單元配備有兩個(gè)口：一個(gè)是輸入口,只負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)的寫(xiě)入;另一個(gè)是輸出口,只負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)的輸出。先進(jìn)先出(FIFO)存儲(chǔ)器方案適用于小存儲(chǔ)深度,數(shù)據(jù)需實(shí)時(shí)處理的場(chǎng)合。 |
